[实用新型]一种高压逻辑电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，特别是涉及一种高压逻辑电路。

背景技术

现有技术中，应用高压逻辑电路时，通常需要使用level shift(电平移位) 电路进行电压域转换，以及使用高压mos管构成的高压逻辑模块对输入信号进行逻辑运算。

现有技术中的高压逻辑电路存在以下缺陷：需要使用大量的高压mos 管，既浪费芯片面积，又增加了高压信号的负载电容。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型实施例的目的在于提供一种高压逻辑电路，以解决现有技术中的高压逻辑电路需要使用大量的高压mos管的问题。

为了解决上述问题，本实用新型实施例公开了一种高压逻辑电路，包括：

高压预充模块，所述高压预充模块与高压电源相连，当所述高压预充模块工作时，所述高压预充模块的输出端电压预充至所述高压电源的电压；

高压隔离模块，所述高压隔离模块与所述高压预充模块的输出端相连，所述高压隔离模块接收所述高压电源的电压，当所述高压隔离模块工作时，所述高压隔离模块输出预设低压；

低压逻辑模块，所述低压逻辑模块的电源端与所述高压隔离模块的输出端相连，所述低压逻辑模块用于接收低压数据信号，并对所述低压数据信号进行逻辑处理；

求值模块，所述求值模块与所述低压逻辑模块相连，当所述求值模块工作时，所述求值模块对所述低压逻辑模块逻辑处理后的结果进行求值。

可选地，所述高压电源的电压为正电压，所述低压逻辑模块为低压 NMOS逻辑电路，所述求值模块的输出端接地。

可选地，所述求值模块包括：

低压NMOS管，所述低压NMOS管的栅端接收求值使能信号，所述低压NMOS管的漏端与所述低压逻辑模块相连，所述低压NMOS管的源端接地。

可选地，所述高压预充模块包括：

第一高压PMOS管，所述第一高压PMOS管的栅端接收预充使能信号，所述第一高压PMOS管的源端与所述高压电源相连，所述第一高压PMOS 管的漏端与所述高压隔离模块相连。

可选地，所述高压隔离模块包括：

第一高压NMOS管，所述第一高压NMOS管的栅端接收隔离使能信号，所述第一高压NMOS管的漏端与所述高压预充模块的输出端相连，所述第一高压NMOS管的源端与所述低压逻辑模块的电源端相连。

可选地，所述高压电源的电压为负电压，所述低压逻辑模块为低压 PMOS逻辑电路，所述求值模块的输出端与低压电源相连。

可选地，所述求值模块包括：

低压PMOS管，所述低压PMOS管的栅端接收求值使能信号，所述低压PMOS管的漏端与所述低压逻辑模块相连，所述低压PMOS管的源端与所述低压电源相连。

可选地，所述高压预充模块包括：

第二高压NMOS管，所述第二高压NMOS管的栅端接收预充使能信号，所述第二高压NMOS管的源端与所述高压电源相连，所述第二高压NMOS 管的漏端与所述高压隔离模块相连。

可选地，所述高压隔离模块包括：

第二高压PMOS管，所述第二高压PMOS管的栅端接收隔离使能信号，所述第二高压PMOS管的漏端与所述高压预充模块的输出端相连，所述第二高压PMOS管的源端与所述低压逻辑模块的电源端相连。

可选地，所述高压逻辑电路还包括：

电压保持模块，所述电压保持模块分别与所述高压电源和所述高压预充模块的输出端相连，所述电压保持模块用于将所述高压预充模块的输出端电压保持在所述高压电源的电压。

本实用新型实施例包括以下优点：设置高压逻辑电路包括高压预充模块、高压隔离模块、低压逻辑模块和求值模块，其中，高压预充模块与高压电源相连，当高压预充模块工作时，高压预充模块的输出端电压预充至高压电源的电压；高压隔离模块与高压预充模块的输出端相连，高压隔离模块接收高压电源的电压，当高压隔离模块工作时，高压隔离模块输出预设低压；低压逻辑模块的电源端与高压隔离模块的输出端相连，低压逻辑模块用于接收低压数据信号，并对低压数据信号进行逻辑处理；求值模块与低压逻辑模块相连，当求值模块工作时，求值模块对低压逻辑模块逻辑处理后的结果进行求值。这样，本实用新型实施例通过增加高压隔离模块，将输入低压逻辑模块的高压信号进行隔离，不仅使得低压数据信号无需进行电压域转换，即节省了level shift电路，而且采用低压逻辑模块对低压数据信号进行逻辑运算，即节省了高压逻辑模块，因此，有效减少了高压MOS管的使用，和减小了高压信号的负载电容。