[实用新型]一种隔离电路

说明书

本实用新型提供一种隔离电路，包括：主隔离电容器、第二电容器、次隔离电容器、第四电容器和放大器，其中，所述主隔离电容器的第二端连接到所述第二电容器的第一端和所述放大器的输入端；所述次隔离电容器的第二端连接到所述第四电容器的第一端和所述放大器的输入端；所述第二电容器的第二端和第四电容器的第二端共同连接到接地端；所述主隔离电容器的第一端和所述次隔离电容器的第一端的输入呈反相；并且其中所述第二电容器、第四电容器和放大器处于第二管芯中。通过本实用新型的一个或多个实施方式，可以实现较高的隔离电压，并且由于电路和隔离电容由CMOS工艺制成，不存在光耦的老化问题，性能随温度变化，电性能差等问题，因此质量稳定，寿命长，成本低。

技术领域

本实用新型涉及电路领域，更具体地，涉及高压电路领域的隔离电路。

背景技术

光耦是以光为媒介来传输信号的器件，通常把发光器与接收器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电流信号时发光器发出光线，接收器接收到光线之后就产生光电流，从输出端输出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，光电耦合器是五十年以前的技术，它第一次实现了由一个器件来实现信号隔离，它在电力控制电路上获得广泛的应用。

但是，光耦的缺点在于：因为发光二极管的电性能随温度变化，所以光耦的电性能随温度变化，不稳定。此外，因为发光二极管和隔离的塑料有老化问题，所以光耦隔离器也有性能老化问题。更进一步地，光耦还存在共模抑制比低的问题，因为发光二极管和接受电路之间有寄生电容，当两边有很大的共模电压变化时，如30kV/us，寄生电容的电流会让发光二极管发光而形成误操作。最后，另外基于光耦的原理，有速度低，功耗高，不容易集成等缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种能够克服现有技术中耦合器缺点的隔离电路。

根据本实用新型的一个方面，提供一种隔离电路，包括：主隔离电容器(C1)、第二电容器(C2)、次隔离电容器(C3)、第四电容器(C4)和放大器(AMP)，其中，所述主隔离电容器(C1)的第二端连接到所述第二电容器(C2)的第一端和所述放大器(AMP)的输入端；所述次隔离电容器(C3)的第二端连接到所述第四电容器(C4)的第一端和所述放大器(AMP)的输入端；所述第二电容器(C2)的第二端和第四电容器(C4)的第二端共同连接到接地端(GND)；所述主隔离电容器(C1)的第一端和所述次隔离电容器(C2)的第一端的输入呈反相；并且其中所述第二电容器(C2)、第四电容器(C4)和放大器(AMP)处于第二管芯中。

根据本实用新型的一个实施方式，其中，所述放大器(AMP)的输入端包括第一输入端和第二输入端，并且其中，所述主隔离电容器(C1)的第二端连接到所述第二电容器(C2)的第一端和所述放大器(AMP)的第一输入端；所述次隔离电容器(C3)的第二端连接到所述第四电容器(C4)的第一端和所述放大器(AMP)的第二输入端。

根据本实用新型的一个实施方式，进一步包括锁存器(L1)，所述锁存器(L1)包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述主隔离电容器(C1)的第二端连接到所述锁存器(L1)的第一输入端；所述次隔离电容器(C3)的第二端连接到所述锁存器(L1)的第二输入端；所述锁存器(L1)的输出端连接到所述放大器(AMP)的输入端。

根据本实用新型的一个实施方式，进一步包括反相器(12)，所述反相器(12)的输入端连接到所述主隔离电容器(C1)的第一端和所述次隔离电容器(C2)的第一端中的一个，以接收所述隔离电容器的输入；而所述反相器(12)的输出端连接到所述主隔离电容器(C1)的第一端和所述次隔离电容器(C2)的第一端中的另一个；所述反相器(12)处于第一管芯中。

根据本实用新型的一个实施方式，进一步包括缓冲器(11)，所述缓冲器(11)的输出端连接到所述反相器(12)的输入端，并连接到所述主隔离电容器(C1)的第一端和所述次隔离电容器(C2)的第一端中的一个；所述缓冲器(11)处于第一管芯中。