[实用新型]晶片载体及化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种晶片载体，该晶片载体适用于化学气相沉积装置或外延生长装置，其特征在于，所述晶片载体包括：

本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面，所述顶表面包括具有圆形轮廓的周缘；

多个呈圆形的具有第一直径的凹穴，其设置在所述晶片载体的顶表面的周缘内且以所述圆形轮廓的圆心为圆心呈两个同心圆分布，所述多个具有第一直径的凹穴中的第一部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第一同心圆中，所述多个具有第一直径的凹穴中的第二部分凹穴均匀且相互外切地布置在所述两个同心圆的第二同心圆中，所述第一同心圆位于所述第二同心圆内部；并且

所述第二部分凹穴中的任意相邻的两个凹穴与位于其内侧的相邻的第一部分凹穴中的一个凹穴的排布方式为：该三个凹穴所确定的三个圆外切，且三个圆的圆心连线构成正三角形。

2.如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于，所述顶表面的周缘内的中心区域还包括一个呈圆形的中心凹穴，其直径与所述第一直径相同，所述中心凹穴位于所述第一同心圆所包围的区域内且与所述第一同心圆中的每一个凹穴相互外切。

3.如权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，在所述顶表面的周缘内还包括多个具有第二直径的呈圆形的第三部分凹穴，每一个所述第三部分凹穴位于由所述第二部分凹穴中的相切的两个凹穴和相邻的第一部分凹穴中的两个凹穴之间的空间内，所述第二直径小于所述第一直径。

4.如权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，所述顶表面的周缘内的中心区域还包括一个呈圆形的以所述圆形轮廓的圆心为圆心的具有第三直径的中心凹穴，所述第三直径小于所述第一直径，在所述第三直径的中心凹穴与所述第一部分的凹穴之间还设置有多个呈圆形的第四部分凹穴，每一个第四部分凹穴与相邻的所述具有第三直径的中心凹穴和所述第一部分的凹穴中的两个凹穴相互外切。

5.如权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，所述顶表面的周缘内的中心区域还包括一个呈圆形的以所述圆形轮廓的圆心为圆心的具有第三直径的中央区，所述第三直径小于所述第一直径，在所述第三直径的中央区与所述第一部分的凹穴之间还设置有多个呈圆形的第四部分凹穴，每一个第四部分凹穴与相邻的所述具有第三直径的中央区和所述第一部分的凹穴中的两个凹穴相互外切，所述中央区不设置凹穴。

6.如权利要求4或5所述的晶片载体，其特征在于，所述第四部分凹穴的直径与所述第二直径相等或不相等。

7.如权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，所述第一部分凹穴的数量为6，所述第二部分凹穴的数量为12。

8.如权利要求7所述的晶片载体，其特征在于，所述第一部分凹穴和第二部分凹穴的每一个凹穴的直径大小范围为150-152毫米之间。

9.如权利要求7的所述晶片载体，其特征在于第，所述顶表面的具有圆形轮廓的周缘的直径范围为770-800毫米。

10.如权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，所述第二直径大小范围为50-60毫米。

11.如权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，所述多个具有第一直径的凹穴用于放置待处理的晶片，所述第三部分凹穴内用于放置待处理的晶片或与待处理的晶片尺寸和形状相同的晶片类似物(dummy)。

12.如权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，所述晶片载体还包括布置在所述底表面中心区域的凹槽。

13.如权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，所述晶片载体还包括布置在所述底表面的锁定特征部。

14.如权利要求13所述的晶片载体，其特征在于，所述锁定特征部布置在所述底表面的几何中心处。

15.如权利要求13所述的晶片载体，其特征在于，所述锁定特征部选自由花键、卡盘或锁控配件组成的组中。

16.一种化学气相沉积装置，包括如权利要求1至14中任一项所述的晶片载体。

17.如权利要求16所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括可旋转旋转轴，所述晶片载体可拆卸地定位在所述可旋转旋转轴上。