[实用新型]一种气体富集解析装置及气体预处理系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及气体检测领域，尤其针对多晶硅生产过程中尾气的检测，具体而言，涉及一种气体富集解析装置及气体预处理系统。

背景技术

多晶硅生产中，尾气中杂质的多少直接体现了整个系统的干净与否，当杂质含量达到某一较高的范围时，会严重影响整个系统及后续产品的质量。其中，硼磷化合物严重影响多晶硅产品质量。但是某些杂质几乎都是超痕量级的，大约在个位数ppb范围甚至更低，这使得检测条件变得更加苛刻。针对该问题，已有的方法是先将杂质气体通过富集进行浓缩，从而增大含量便于检测。但是，这样先对杂质气体进行富集，再将气体转移到加热装置中加热解析，然后进行检测。待测试气体的转移运输过程麻烦，并且影响了实验的稳定性。并且在测试现场还需要对各个装置进行布置，操作复杂，不利于在现场展开实验。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种气体富集解析装置，其将杂质富集、加热解析过程一体化，操作方便，检测稳定性高。

本实用新型的另一目的在于提供一种气体预处理系统，该系统集杂质富集、加热解析为一体，操作方便，检测过程稳定性高。

本实用新型的实施例是这样实现的：

一种气体富集解析装置，其包括冷阱池、和冷阱池相连的加热池以及转换装置，转换装置一端设置于冷阱池或加热池，转换装置的另一端设置有吸附柱，通过伸缩和/或转动转换装置可以选择性地将吸附柱置于冷阱池或加热池内。

在本实用新型的一种实施例中，上述气体富集解析装置的转换装置包括连接杆、用于驱动连接杆相对于冷阱池或加热池移动的驱动部，连接杆的一端连接于吸附柱，连接杆的另一端连接于驱动部。

在本实用新型的一种实施例中，上述气体富集解析装置的驱动部包括用于驱动连接杆升降的顶升驱动部，以及用于驱动连接杆转动的转动驱动部。

在本实用新型的一种实施例中，上述气体富集解析装置的冷阱池包括第一外壁和第一内壁，第一内壁形成具有开口的冷阱腔体，第一外壁和第一内壁之间填充有绝热材料。

在本实用新型的一种实施例中，上述气体富集解析装置的加热池包括第二外壁和第二内壁，第二内壁形成具有开口的加热腔体，第二外壁和第二内壁之间填充有绝热材料。

在本实用新型的一种实施例中，上述气体富集解析装置的冷阱腔体的开口处设置有冷阱盖，冷阱盖设置有多个热量交换口，冷阱盖还设置有用于控制热量交换口开关的电磁阀。

在本实用新型的一种实施例中，上述气体富集解析装置的气体解析装置还包括温控器和显示屏，冷阱池与加热池内分别设置有温度感应器，温度感应器与显示屏电连接，温控器与电磁阀电连接。

在本实用新型的一种实施例中，上述气体富集解析装置的吸附柱两端设置有封口器。

在本实用新型的一种实施例中，上述气体富集解析装置的冷阱池和加热池通过合页连接。

一种气体预处理系统，其包括上述的气体富集解析装置。

本实用新型实施例的有益效果是：

本实用新型的气体富集解析装置，包括冷阱池、和冷阱池相连的加热池以及转换装置，转换装置一端设置于冷阱池或加热池，转换装置的另一端设置有吸附柱，通过伸缩和/或转动转换装置可以选择性地将吸附柱置于冷阱池或加热池内。本实用新型的气体预处理系统包括该气体富集解析装置。这样将冷阱池和加热池一体化设置，减少了技术人员在对气体进行检测前的预处理时，对冷却富集装置以及加热解析装置的布置，使用方便。可以在冷却富集完立刻使用转换装置将吸附柱转移到加热池中进行加热、解析，这样简化了转移待测试气体的操作，实验稳定性高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型实施例中气体富集解析装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例中气体富集解析装置折叠后的结构示意图；

图3为本实用新型实施例中冷阱盖的结构示意图；

图4为本实用新型实施例中气体预处理系统的结构示意图。