[实用新型]一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构有效
申请号: | 201720842121.X | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN207367577U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 刘吉平;张怀东;周蕴言;冯冰 | 申请(专利权)人: | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;H03K17/687 |
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地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 lcd 驱动 偏置 电压 电路 结构 | ||
本实用新型公开了一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、第一NMOS管、第二NMOS管、PMOS管以及传输门TG,所述电阻R1的输出端分别与所述传输门TG一端、所述电阻R2的输入端以及所述第一NMOS管的输入端连接,所述电阻R2的输出端分别与所述传输门TG的另一端、所述电阻R3的输入端以及所述PMOS管的输入端连接,所述电阻R3的输出端与所述第二NMOS管的输入端连接。本实用新型通过采用NMOS管以及PMOS管,偏置电压稳定,效果好,本实用新型结构简单,电路集成度高,占用芯片面积小,成本低。
技术领域
本实用新型涉及集成电路结构技术领域,具体的说是涉及一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构。
背景技术
传统的集成电路中用于LCD驱动的偏置电压的电路通常采用铝栅工艺,铝层与N+或P+ 构成的平板电容,不需要增加额外的光罩,单随着集成电路集成度的提高,铝栅工艺在成本上已经没有优势,在硅栅工艺中,制作平板电容(多晶与N+或P+构成的平板电容)需要额外增加光罩,从而增加成本。
上述缺陷,值得解决。
实用新型内容
为了克服现有的技术的不足,本实用新型提供一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构。
本实用新型技术方案如下所述:
一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构,其特征在于,包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、第一NMOS管、第二NMOS管、PMOS管以及传输门TG,所述电阻R1的输出端分别与所述传输门TG一端、所述电阻R2的输入端以及所述第一NMOS管的输入端连接,所述电阻R2的输出端分别与所述传输门TG的另一端、所述电阻R3的输入端以及所述PMOS管的输入端连接,所述电阻R3的输出端与所述第二NMOS管的输入端连接,所述第一NMOS管的源端、漏端、存底分别接地线,所述第二NMOS管的源端、存底分别接地线,所述第二NMOS管的漏端与所述电阻R3的输出端连接,所述PMOS端的源端、漏端、存底分别接电源线。
进一步的,所述电阻R1、所述电阻R2以及所述电阻R3的大小相等或者相差不大。
进一步的,所述第二NMOS管上设置有EN开关控制脚,当电路工作时,所述EN开关控制脚为高电平。
进一步的,当电路停止工作时,所述EN开关控制脚为低电平。
进一步的,当LCD驱动的偏置电压为二分之一时,所述CP端为高电平,所述CPN端为低电平。
进一步的,其特征在于,当LCD驱动的偏置电压为三分之一时,所述CP端为低电平,所述CPN端为高电平。
根据上述方案的本实用新型,其有益效果在于,本实用新型通过采用NMOS管以及PMOS 管,偏置电压稳定,效果好,本实用新型结构简单,电路集成度高,占用芯片面积小,成本低。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
NMOS1、第一NMOS管NMOS1;NMOS2、第二NMOS管NMOS2;PMOS1、PMOS管PMOS1;EN、 EN开关控制脚。
具体实施方式
下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述:
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