[实用新型]一种快速高精度管座定位夹抓有效
申请号: | 201720846951.X | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN207038497U | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 杨孟良 | 申请(专利权)人: | 广东瑞谷光网通信股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司44376 | 代理人: | 杨明辉 |
地址: | 523000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 高精度 定位 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种定位夹抓,尤其涉及一种管座定位夹抓
背景技术
光通讯行业中LD共晶工艺是高精度生产要求的工序,LD共晶位置的准确性稳定性直接影响产品焦距稳定性及产品光电特性,因此在共晶过程中对设备各方面的要求及设备的精度要求也比较高。而共晶设备中的管座输送及定位功能极为重要,决定这产品的精度以及设备的整体效率。现有的共晶机管座搬送和定位机构比较复杂,定位效率较低,且容易卡管座导致批量性不良。
传统定位结构采用两个步进电机作为动力驱动,采用z向和y向连杆机构,先将z向连杆机构顶出,将底座向上固定在焊台上,再将y向连杆向前伸出,进行二次顶住顶住管座,当夹抓离开后,y向连杆还需要在次重复三次顶住管座背部,才能完成管座定位,一旦出现故障则导致异常,则需要人为将z向和y向连杆机构进行拆除,且焊台高温作业具有一定的危险和复杂性。
传统共晶搬送上料包括以下步骤:取料机械手将管座放置在搬送夹抓上,搬送夹抓将管座放入底座内,上升顶杆顶起,夹抓松开,管座背杆升起,然后前推固定管座,夹抓退回,背杆二次前推固定管座。
这些固定方式需要花比较长的时间,大约2秒一个,产值低;且定位结构复杂,调试位置难度较大,容易导致管座输送不到位,调试需要较长时间;管座内如掉落异物则容易导致管座卡死,维修时需将管座全部拆卸,人工维护困难效率较低;定位夹抓故障后续专业人士对夹抓进行处理清洁。
实用新型内容
针对上述不足,本实用新型的目的在于提供一种快速高精度管座定位夹抓,改善现有的管座定位夹抓结构,提高管座定位夹抓结构的定位速度以及定位精度,且故障率低,维护容易。
本实用新型为达到上述目的所采用的技术方案是:
一种快速高精度管座定位夹抓,包括送料机构以及焊接机构;所述送料机构包括送料气缸、设置于送料气缸上端的气缸底座、设置于气缸底座上端的夹抓气缸、贯穿设置于夹抓气缸前端的定位底座、以及与定位底座前端相连的背顶杆机构座;所述背顶杆机构座前端上段设置有背顶杆,所述夹抓气缸前端设置有左夹抓气缸定位凸条以及右夹抓气缸定位凸条,所述左夹抓气缸定位凸条以及右夹抓气缸定位凸条贯穿定位底座,且分别位于背顶杆的左侧与右侧,所述左夹抓气缸定位凸条上套设有左定位夹抓,所述右夹抓气缸定位凸条上套设有右定位夹抓;所述焊接机构包括位于背顶杆前端的焊接台,该焊接台后端下端设置有顶杆。
作为本实用新型的进一步改进,所述送料气缸后端设置有光电感应器。
作为本实用新型的进一步改进,所述背顶杆后端设置有顶弹簧。
作为本实用新型的进一步改进,所述气缸底座一侧还竖直设置有立板,该立板上开设有贯通的第一凹槽,所述夹抓气缸还通过夹抓固定螺丝穿过第一凹槽与立板接合。
作为本实用新型的进一步改进,所述背顶杆机构座上开设有贯通的第二凹槽,所述背顶杆机构座通过背顶杆固定螺丝穿过第二凹槽与定位底座接合。
作为本实用新型的进一步改进,所述焊接台上开设有与背顶杆、左定位夹抓,以及右定位夹抓相匹配的第三凹槽,该第三凹槽呈倒“T”字形。
作为本实用新型的进一步改进,所述焊接台顶端一侧还水平开设有第四凹槽。
本实用新型的有益效果为:
(1)改善了复杂的定位结构,采用灵活夹抓方式代替繁琐的定位结构,采用两个气缸作为动力输出,将Y向顶出机构与夹抓进行一体化设计,巧妙合理的利用了搬送时间,送料与定位一次性完成,降低了故障率,减少维修难度,且不需要拆除任何机构就可以解除故障。提高了夹抓的定位速度以及输送速度,定位仅需0.5秒,整个搬运上料时间从传统的约2秒一个提升至仅需1秒,配装在共晶自动化设备上,可以大大提升产品产出,且可靠性高;
(2)通过在背顶杆后增设顶弹簧,提高了背顶杆的输送稳定性;
(3)空间布局紧凑,结构简洁,操作易上手,夹抓的维护成本降低,维护调试简单,非专业人士可以进行更换操作;
(4)定位精度高,夹抓重复定位精度为0.05mm,工作定位精度为0.02mm;
(5)兼容性好,可以简单更换开脚机构零件和调整Z下降高度,可兼容不同产品,提高设备的利用率;
(6)通用性好,本检测机构可借鉴广泛使用于电子,仪器,半导体,医疗,航空等有定位搬送固定的设备上使用。
上述是实用新型技术方案的概述,以下结合附图与具体实施方式,对本实用新型做进一步说明。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的爆炸结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造