[实用新型]一种用于测量瞬态轴温的自更新薄膜热电偶传感器

权利要求书

1.一种用于测量瞬态轴温的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于包括：

截面上形成有凸台的第一半圆柱结构，所述凸台上沉积有用于测量瞬态轴温的薄膜热电偶；

截面上形成有与所述凸台相匹配的凹槽的第二半圆柱结构，所述第二半圆柱结构通过固件与所述第一半圆柱结构扣合为圆柱结构且所述圆柱结构具有薄膜热电偶的引线端的一端被置于铠装套筒内。

2.根据权利要求1所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：

所述薄膜热电偶至少包括：

沉积于所述凸台表面的绝缘薄膜；

沉积于所述绝缘薄膜表面且沿凸台的中心轴线对称分布的薄膜热电极一以及薄膜热电极二，所述薄膜热电极一以及薄膜热电极二一端相互搭接形成热电偶传感器的热接点，即测量端；所述薄膜热电极一以及薄膜热电极二另一端分别一一对应粘接有补偿导线一以及补偿导线二以构成引线端；

以及沉积于所述热接点上的保护薄膜。

3.根据权利要求2所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：所述测量端伸出所述铠装套筒端面且可加工成与被测对象表面形状相匹配的形状。

4.根据权利要求2所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：

所述凹槽为阶梯型凹槽结构，即所述凹槽包括一端自测量端开始延伸、另一端延伸有与之垂直的竖面的第一平面；以及一端与竖面垂直、并向引线端延伸的第二平面，且所述第一平面距离第二半圆柱结构截面所对应的槽深小于所述第二平面距离第二半圆柱结构截面所对应的槽深。

5.根据权利要求1所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：

所述第一半圆柱结构以及第二半圆柱结构的基体材料为6061铝合金材料。

6.根据权利要求2所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：

所述绝缘薄膜采用Al₂O₃绝缘薄膜。

7.根据权利要求2所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：所述薄膜热电极一和补偿导线一均采用NiCr合金材料。

8.根据权利要求2所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：所述薄膜热电极二和补偿导线二均采用NiSi合金材料。

9.根据权利要求2所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：所述保护薄膜为SiO_xN_y保护薄膜。

10.根据权利要求1所述的自更新薄膜热电偶传感器，其特征在于：

所述固件包括螺钉；且第二半圆柱结构与第一半圆柱结构以凸台和所述螺钉进行定位并通过拧紧补偿导线平端紧定螺钉的尾端以压紧补偿导线一、二的所对应的补偿导线紧固点。