[实用新型]前照式图像传感器有效
| 申请号： | 201720853122.4 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN207558795U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐泽;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电二极管区域 图像传感器 光密介质 衬底 半导体 本实用新型 金属层 光导管 光密介质材料 光信号损失 金属互连层 多层金属 光疏介质 像素单元 灵敏度 互连层 折射率 串扰 反射 折射 覆盖 | ||
1.一种前照式图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底形成有对应于像素单元的光电二极管区域；
形成于所述半导体衬底上的多层金属互连层；
至少一层金属互连层具有：形成于所述光电二极管区域上方的光密介质区域；位于所述光密介质区域周围的金属层；覆盖所述金属层及光密介质区域周围的光疏介质区域。
2.根据权利要求1所述的前照式图像传感器，其特征在于，所述光密介质区域的截面形状为正梯形或三角形。
3.根据权利要求1所述的前照式图像传感器，其特征在于，所述光密介质的折射率至少比所述光疏介质的折射率大15％以上。
4.根据权利要求1所述的前照式图像传感器，其特征在于，所述光密介质的材料为氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化铪中的一种或其组合。
5.根据权利要求1所述的前照式图像传感器，其特征在于，所述光疏介质的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化铪中的一种或其组合。
6.根据权利要求1所述的前照式图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底上形成有2～4层金属互连层。
7.根据权利要求1所述的前照式图像传感器，其特征在于，第一层金属互联层至次顶层金属互连层还具有：形成于所述光疏介质区域中连接相邻金属互连层的通孔结构。
8.根据权利要求1所述的前照式图像传感器，其特征在于，所述光密介质区域的宽度小于等于所述光电二极管区域的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子（上海）有限公司，未经格科微电子（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720853122.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
