[实用新型]一种DC‑20GHz吸收式单刀单掷开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及微波开关技术领域，具体为一种DC-20GHz吸收式单刀单掷开关。

背景技术

传统的开关控制电路，通常采用单级串联/并联晶体管结构，或者两级串并联晶体管结构来实现。单级的串联结构，具有宽带，高频插损大，隔离度小的特点，单级的并联结构，具有窄带，高频插损小而隔离度大的特点；两级串并联结构结合了两者的优点，但是也需要在插损和隔离度之间进行折中。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种DC-20GHz吸收式单刀单掷开关，以解决上述背景技术中提出的问题。所述DC-20GHz吸收式单刀单掷开关具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种DC-20GHz吸收式单刀单掷开关，包括有7级开关晶体管结构，两个射频输入输出端口RF1、RF2，两个直流控制端口VC1、VC2，射频输入端RF1通过电感L1与第1级晶体管T1源极相连；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R3 与直流控制端口VC1相连；

输入级负载电阻R1一端连接第1级晶体管T1源极，另一端连接在其漏极；

第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2级晶体管T2栅极通过高阻值电阻R4与直流控制端口VC2相连；第2级晶体管T2源极通过电感L3接地；第2级晶体管T2漏极通过电感L4与第3级晶体管T3漏极相连；

第3级晶体管T3栅极通过高阻值电阻R5与直流控制端口VC2相连；第3 级晶体管T3源极通过电感L5接地；第3级晶体管T3漏极直接与第4级晶体管 T4源极相连；

第4级晶体管T4栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第4 级晶体管T4漏极直接与第5级晶体管T5漏极相连；

第5级、第6级、第7级晶体管连接方式以第4级晶体管T4为轴线分别与第3级、第2级、第1级晶体管镜面对称。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷。

附图说明

图1为本实用新型电路结构示意图；

图2为采用本实用新型测试后的输入输出反射系数图；

图3为采用本实用新型测试后的另一种输入输出反射系数图；

图4为采用本实用新型测试后的插损图；

图5为采用本实用新型测试后的隔离度图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：

一种DC-20GHz吸收式单刀单掷开关，包括有7级开关晶体管结构，两个射频输入输出端口RF1、RF2，两个直流控制端口VC1、VC2，射频输入端RF1通过电感L1与第1级晶体管T1源极相连；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R3 与直流控制端口VC1相连；

输入级负载电阻R1一端连接第1级晶体管T1源极，另一端连接在其漏极；

第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2级晶体管T2栅极通过高阻值电阻R4与直流控制端口VC2相连；第2级晶体管T2源极通过电感L3接地；第2级晶体管T2漏极通过电感L4与第3级晶体管T3漏极相连；

第3级晶体管T3栅极通过高阻值电阻R5与直流控制端口VC2相连；第3 级晶体管T3源极通过电感L5接地；第3级晶体管T3漏极直接与第4级晶体管 T4源极相连；

第4级晶体管T4栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第4 级晶体管T4漏极直接与第5级晶体管T5漏极相连；

第5级、第6级、第7级晶体管连接方式以第4级晶体管T4为轴线分别与第3级、第2级、第1级晶体管镜面对称。

两个射频输入输出端口RF1、RF2可互易作为输出、输入端口；

本实用新型中，7级开关晶体管结构之间通过电感相连接，采用微带线匹配技术实现DC-20GHz带宽。

以下结合图1对本实用新型作进一步的说明：

1、T1、T4、T7作为串联结构的晶体管，实现宽带开关的功能。