[实用新型]一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管有效
申请号: | 201720865188.5 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN207038532U | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 宁洪龙;曾勇;姚日晖;郑泽科;章红科;刘贤哲;李晓庆;张啸尘;王磊;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/22 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 罗啸秋 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 氧化物 柔性 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】:
1.一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管,由依次层叠的硬质衬底、柔性衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成,其特征在于:所述有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构,其中诱导层位于栅极绝缘层一侧。
2.根据权利要求1所述的一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管,其特征在于:所述多晶氧化物半导体层上还设置一层钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720865188.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种垂直沟道结构双电层薄膜晶体管
- 下一篇:一种超低漏电水平的低压TVS器件
- 同类专利
- 专利分类