[实用新型]一种SiC欧姆接触结构有效
| 申请号： | 201720867878.4 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN207165577U | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张艺蒙;张玉明;李彦良;宋庆文;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 欧姆 接触 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC欧姆接触结构，其特征在于，包括：
SiC衬底(11)；
第一Ni层(12)，设置于所述SiC衬底(11)上；
Ti层(13)，设置于所述第一Ni层(12)上；
第二Ni层(14)，设置于所述Ti层(13)上；
TaSi2层(15)，设置于所述第二Ni层(14)上；
Pt层(16)，设置于所述TaSi2层(15)上。
2.根据权利要求1所述的SiC欧姆接触结构，其特征在于，所述SiC衬底(11)为4H-SiC衬底或者6H-SiC衬底。
3.根据权利要求1所述的SiC欧姆接触结构，其特征在于，所述SiC衬底(11)为N型或者P型衬底。
4.根据权利要求1所述的SiC欧姆接触结构，其特征在于，所述SiC衬底(11)包括重掺杂的N型区或P型区。
5.根据权利要求4所述的SiC欧姆接触结构，其特征在于，所述N型区的掺杂源为Al，掺杂浓度为1.0×1020cm-3。
6.根据权利要求4所述的SiC欧姆接触结构，其特征在于，所述P型区的掺杂源为N，掺杂浓度为3.0×1020cm-3。
7.根据权利要求1所述的SiC欧姆接触结构，其特征在于，所述第一Ni层(12)厚度为所述Ti层(13)厚度为所述第二Ni层(14)厚度为所述TaSi2层(15)厚度为以及所述Pt层(16)厚度为
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