[实用新型]顶发射显示器件有效
申请号: | 201720870311.2 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN207199626U | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 郑彤 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 显示 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种顶发射显示器件。
背景技术
在信息社会,作为可视信息传输媒介的显示器件正在快速发展,并且正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点,量子点发光二极管(QLED)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点,是目前显示器件研究的两个主要方向。采用溶液加工制作OLED显示器和QLED显示器的工艺具有成本低、产能高、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。同时,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
目前,在印刷工艺中,通常将相邻像素并具有相同颜色的子像素集中在一起,然后通过像素界定结构10的优化,如图1所示,在基板11上布设有驱动TFT阵列12、钝化平坦层13、底电极14、第一像素界定层15及第二像素界定层16等,该优化的像素界定结构可扩大墨水的沉积区域,从而实现高分辨率显示器的制备。但是,当采用顶发射的显示器件结构时,由于相邻相同颜色的子像素间的界定较薄,因此相互之间会存在一定干扰现象,导致显示器的显示效果下降。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种能够防止相邻子像素相互干扰的顶发射显示器件。
一种顶发射显示器件,包括基板、第一电极层、发光功能层、第一像素界定层、第二像素界定层、第二电极层、隔离缓冲功能层和封装盖板;
所述第一电极层、所述发光功能层、所述第一像素界定层、所述第二像素界定层及所述第二电极层在所述基板上构成多个像素单元,且每个所述像素单元内包含多个子像素单元,相邻的所述像素单元之间或相邻的所述子像素单元之间均通过所述第一像素界定层隔开,且相邻的所述像素单元之间还通过设于所述第一像素界定层之上的所述第二像素界定层隔开;
所述隔离缓冲功能层设在所述封装盖板上且朝向所述像素单元设置,所述隔离缓冲层具有多个隔离凸起,所述隔离凸起与所述第一像素界定层和所述第二像素界定层相配合进一步将相邻的所述像素单元和相邻的所述子像素单元隔开。
在其中一个实施例中,所述顶发射显示器件还包括辅助电极层,所述辅助电极层设于所述隔离凸起上,且位于所述隔离凸起端部的辅助电极层与相应的所述像素界定层之上的所述第二电极层相连接。
在其中一个实施例中,所述顶发射显示器件还包括柔性导电层,所述柔性导电层设于所述辅助电极层和所述第二电极层之间。
在其中一个实施例中,所述柔性导电层为有机导电薄膜层。
在其中一个实施例中,所述基板上具有驱动TFT阵列,所述第一电极层与所述驱动TFT阵列相连接。
在其中一个实施例中,所述发光功能层为有机电致发光功能层、量子点发光功能层或者所述有机电致发光功能层和所述量子点发光功能层相结合形成的混合发光功能层。
在其中一个实施例中,每个所述像素单元内的发光功能层整体覆盖在所述第一电极层及该像素单元内的所述第一像素界定层之上;
所述第二电极层整体覆盖在所述发光功能层和所述第二像素界定层之上。
在其中一个实施例中,所述辅助电极层为不透明金属薄膜层。
在其中一个实施例中,所述第二电极层为半透明的导电金属薄膜层或透明的导电金属氧化物薄膜层。
在其中一个实施例中,所述顶发射显示器件还包括封装胶框,所述封装胶框设于所述基板和所述封装盖板之间,用于密封整个器件。
上述顶发射显示器件通过在封装盖板上且朝向像素单元的一侧设置包括与第一像素界定层和第二像素界定层相配合进一步将相邻的像素单元和相邻的子像素单元隔开的多个隔离凸起,从而能够整体上有效隔断顶发射显示器件中相邻相同颜色子像素间的发光干扰,提高显示器的显示效果。
进一步地,上述顶发射显示器件还在隔离凸起的表面上设有辅助电极层,辅助电极层与相应的像素界定层之上的第二电极层相连接,该辅助电极层的设置能够与隔离凸起相配合进一步有效隔断顶发射显示器件中相邻相同颜色的子像素间的发光干扰,提高显示器的显示效果。同时,该辅助电极层的设置能够使电流流过第二电极层时产生的压降减小,对于大面积的显示器而言,能够提高显示器件的显示亮度均匀性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的