[实用新型]一种优化终端结构的沟槽型半导体器件

权利要求书

1.一种优化终端结构的沟槽型功率半导体器件，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器件的中心区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述元胞区包括若干个元胞单元，所述元胞单元包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），所述第一导电类型外延层（2）上设有第一类沟槽（3），所述第一类沟槽（3）内设有栅氧层（4），所述栅氧层（4）形成的沟槽内设有由导电多晶硅形成的栅极多晶硅（5），在相邻两个第一类沟槽（3）间的第一导电类型外延层（2）的表面设有第二导电类型体区（6），所述第二导电类型体区（6）内设有重掺杂第二导电类型源区（7）和重掺杂第一导电类型源区（8），且重掺杂第一导电类型源区（8）位于第二导电类型源区（7）的两侧，所述第一类沟槽（3）和第二导电类型体区（6）上方设有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）上设有源极金属（10）与栅极总线金属（14），所述源极金属（10）穿过绝缘介质层（9）内的通孔与第二导电类型体区（6）内的重掺杂第一导电类型源区（8）、重掺杂第二导电类型源区（7）接触，所述栅极总线金属（14）环绕在源极金属（10）周围，所述第一导电类型衬底（1）下放设有漏极金属（15）；所述终端保护区包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），其特征在于：所述第一导电类型外延层（2）上设有至少一个第二类沟槽（11），所述第二类沟槽（11）两侧的第一导电类型外延层（2）的表面依次设有第二导电类型体区（6）和绝缘介质层（9），所述第一类沟槽（3）与第二类沟槽（11）间的第二导电类型体区（6）内设有重掺杂第二导电类型源区（7），所述源极金属（10）穿过绝缘介质层（9）上的通孔与所述重掺杂第二导电类型源区（7）接触，所述第二类沟槽（11）内设有氧化层（16），在氧化层（16）形成的沟槽侧壁上覆盖有多晶硅（12），且侧壁的多晶硅（12）间通过绝缘介质层（9）绝缘，所述的第二类沟槽（11）下方设有第二导电类型阱区（13）。

2.根据权利要求1所述的一种优化终端结构的沟槽型功率半导体器件，其特征在于：对于N型沟槽型功率半导体器件，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；对于P型沟槽型功率半导体器件，所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。

3.根据权利要求1所述的一种优化终端结构的沟槽型功率半导体器件，其特征在于：所述第二类沟槽（11）的宽度大于第一类沟槽（3）。

4.根据权利要求1所述的一种优化终端结构的沟槽型功率半导体器件，其特征在于：所述第二类沟槽（11）内的多晶硅（12）是浮空的，不需要金属引出。

5.根据权利要求1所述的一种优化终端结构的沟槽型功率半导体器件，其特征在于：所述沟槽型功率半导体器件为金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管。