[实用新型]一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其是一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片。

背景技术

功率器件MOSFET芯片的中间为有源区，是有电流的区域，而边缘处为无源区，是没有电流的区域(如图1～2所示)，由于MOSFET芯片背面的电流趋向均匀，电流从背面流到正面的时候，电流通道变窄，只有有源区能通过电流，导致MOSFET芯片边缘的电流密度增加，以至于MOSFET芯片在正面边缘区域损坏的机率增大，易损坏，需要经常更换，增加成本。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术中之不足，提供一种降低芯片背面边缘的电流密度，让达到芯片正面的电流更加均匀的降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片，具有芯片本体，所述芯片本体包括有背面金属层、正面金属层以及设在背面金属层与正面金属层之间的衬底，背面金属层的面积大于正面金属层的面积，所述的衬底与背面金属层接触面且靠近边缘处均设有绝缘层。

进一步的，为了提高绝缘效果，所述的绝缘层采用二氧化硅、H系硅微粉或环氧树脂材料制成，优选二氧化硅材料作为绝缘层材料；所述衬底采用硅材料制成的。

进一步的，为了减小电流密度，降低芯片正面边缘处损坏的风险，所述的绝缘层的宽度W1≥正面金属层到衬底边缘处之间的距离W2。

本实用新型的有益效果是：本实用新型1.降低芯片背面边缘的电流密度，让达到芯片正面的电流更加均匀。

2.降低芯片正面边缘的电流密度，降低芯片正面边缘损坏的机率，提高芯片的良率和可靠性。

3.使用寿命长，无需经常更换，降低投资成本。

附图说明

下面结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。

图1是现有MOSFET芯片的主视图；

图2是图1的俯视图；

图3是本实用新型的主视图；

图4是图3的俯视图。

图中1.芯片本体，2.背面金属层，3.正面金属层，4.衬底，5.绝缘层。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1～4所示的一种降低正面边缘损坏风险的MOSFET芯片，具有芯片本体1，芯片本体1包括有背面金属层2、正面金属层3以及设在背面金属层2 与正面金属层3之间的衬底4，背面金属层2的面积大于正面金属层3的面积，衬底4与背面金属层2接触面且靠近边缘处均设有绝缘层5。

绝缘层5采用二氧化硅、H系硅微粉或环氧树脂材料制成；衬底4采用硅材料制成的。

绝缘层5的宽度W1≥正面金属层3到衬底4边缘处之间的距离W2。

具体的衬底4与背面金属层2接触面且靠近边缘处均设有用二氧化硅材料制成的绝缘层5，绝缘层5的厚度H1和宽度W1均可以根据实际情况进行调节，但是为了降低芯片背面金属层2边缘的电流密度，让达到芯片正面金属层3的电流更加均匀，绝缘层5的宽度W1≥正面金属层3到衬底4边缘处之间的距离 W2，才能达到降低芯片正面金属层3边缘损坏的机率，提高芯片的良率和可靠性。

在背面边缘的区域加上二氧化硅绝缘层，使得背面边缘区域的电流密度降低，让从边缘到达正面的电流密度降低，从而降低正面边缘区域边缘损坏的几率。

上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。