[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201720886897.1 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN206921847U | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，所述发光二极管至少包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层从下至上依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，所述第一多量子阱层由复数对第一势垒层和第一势阱层层叠而成，所述第二多量子阱层由复数对第二势垒层和第二势阱层层叠而成，所述第三多量子阱层由复数对第三势垒层和第三势阱层层叠而成，其特征在于：所述第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层厚度均值从所述第一半导体层向第二半导体层方向减小，而第一势阱层、第二势阱层、第三势阱层的厚度不变。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：定义所述第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层的厚度均值分别为h1、h2、h3，其中h3≤(h1+h2+h3)/3，h2≤（h1+h3）/2。
3.根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一多量子阱层内每一第一势垒层厚度相同，所述第二多量子阱层内每一第二势垒层厚度相同，所述第三多量子阱层内每一第三势垒层厚度相同。
4.根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一多量子阱层内第一势垒层厚度从第一半导体层向第二半导体层方向递减，所述第二多量子阱层内第二势垒层厚度从第一半导体层向第二半导体层方向递减，所述第三多量子阱层内第三势垒层厚度从第一半导体层向第二半导体层方向递减。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一势垒层和第一势阱层的层叠对数、第二势垒层和第二势阱层的层叠对数、第三势垒层和第三势阱层的层叠对数相同或者不同。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一势阱层、第二势阱层、第三势阱层的厚度均为20~40埃。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：任意一对所述第一势垒层和第一势阱层的之和厚度均大于80埃，任意一对所述第二势垒层和第二势阱层的厚度之和均大于80埃，任意一对所述第三势垒层和第三势阱层的厚度之和均大于80埃。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层的厚度范围均为60~150埃。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层的总层叠对数范围为5~20。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层均为AlGaN、GaN或AlN层，所述第一势阱层、第二势阱层、第三势阱层均为InGaN层。
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