[实用新型]一种激光加工工作台

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工技术领域，具体为一种激光加工工作台。

背景技术

激光加工是激光系统最常用的应用。根据激光束与材料相互作用的机理，大体可将激光加工分为激光热加工和光化学反应加工两类。激光热加工是指利用激光束投射到材料表面产生的热效应来完成加工过程，包括激光焊接、激光雕刻切割、表面改性、激光镭射打标、激光钻孔和微加工等；光化学反应加工是指激光束照射到物体，借助高密度激光高能光子引发或控制光化学反应的加工过程。包括光化学沉积、立体光刻、激光雕刻刻蚀等。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。

激光加工技术已经广泛的运用到晶圆加工上去了，但是激光对晶圆加工时，现有的设备无法移动和旋转晶圆，加工效率较低，综上所述，现急需一种激光加工工作台来解决上述出现的问题。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种激光加工工作台，以解决上述背景技术中提出的问题，本实用新型使用方便，操作简单，系统性高，实用性强。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种激光加工工作台，包括功率计、快速夹具、工作台、保护气体扁嘴、旋转夹头和电机，所述工作台上端面设置有工作区，所述工作台上端面中间位置设置有加工区，所述加工区周围设置有快速夹具，所述电机设置在加工区左侧，所述电机的输出端与旋转夹头相连接，所述功率计设置在加工区的后侧，所述保护气体扁嘴设置在功率计的周围。

进一步地，所述工作区做100×100、200×200、300×300的区域分布，且工作台表面均匀分布着1mm、宽0.5mm深的直槽，并与真空气体相连接。

进一步地，所述加工区的四周均匀分布若干个快速夹具。

进一步地，所述旋转夹头可水平移动也可旋转移动。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：因本实用新型添加了功率计、快速夹具、工作台、保护气体扁嘴、旋转夹头和电机，该设计实现对晶圆的高精度加工，解决了现有的设备无法移动和旋转晶圆，加工效率较低的问题。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型中加工区的结构示意图；

附图标记中：1.功率计；2.快速夹具；3.工作台；4.保护气体扁嘴；5.旋转夹头；6.电机；7.加工区。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种激光加工工作台3，包括功率计1、快速夹具2、工作台3、保护气体扁嘴4、旋转夹头5和电机6，工作台3上端面设置有工作区，工作台3上端面中间位置设置有加工区7，加工区7周围设置有快速夹具2，电机6设置在加工区7左侧，电机6的输出端与旋转夹头5相连接，功率计1设置在加工区7的后侧，保护气体扁嘴4设置在功率计1的周围，该设计实现对晶圆的高精度加工。

工作区做100×100、200×200、300×300的区域分布，且工作台3表面均匀分布着1mm、宽0.5mm深的直槽，并与真空气体相连接，加工区7的四周均匀分布若干个快速夹具2，旋转夹头5可水平移动也可旋转移动。

本实用新型在工作时：快速夹具2在工作台3加工区7域三面固定，在晶圆加工件被工作台3吸附后用快速夹具2牢固的压在工作台3上防止在加工过程中，晶圆加工件发生移动进而更好的保证加工精度，在工作台3的另一边装有功率计1，可以对激光功率进行实时调节，大大提高了工作的便捷性，工作台3在原有的基础上拆除了加工区7域左边的快速夹具2不影响使用替换成旋转夹头5，使我们的工作台3能满足激光旋转加工，旋转夹头5的旋转速度和旋转角度通过电机6控制，而整个旋转夹头5的仰角可以手动调节好后用螺丝固定好，从而解决了现有的设备无法移动和旋转晶圆，加工效率较低的问题。