[实用新型]一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器

权利要求书

1.一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，其特征在于，有一六棱柱半导体基体(1)，沟槽电极(2)和中央柱状电极(3)由半导体基体(1)通过贯穿刻蚀、扩散掺杂形成，中央柱状电极(3)位于沟槽电极(2)正中，沟槽电极(2)环绕于中央柱状电极(3)之外，其中，沟槽电极(2)为六边形框中空电极，沟槽电极(2)刻蚀成结构相同且结构上互为互补的两瓣；沟槽电极(2)的一对平行边正中有斜纹状实体缝隙(6)，半导体基体(1)采用轻掺杂硅，沟槽电极(2)及中央柱状电极(3)采用重掺杂硅，其中，沟槽电极(2)与中央柱状电极(3)的P/N型相反，所述新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器顶面的沟槽电极(2)和中央柱状电极(3)上覆盖有电极接触层(4)，顶面未覆盖电极接触层(4)的其他半导体基体(1)表面覆盖二氧化硅绝缘层(7)，底面设置有二氧化硅衬底层(5)；在沟槽电极(2)间没有刻蚀成电极从而剩下斜纹状实体缝隙(6)，新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器在斜纹状半导体基体的基础上以沟槽电极顶点为圆心，斜纹状实体缝隙(6)的宽度为半径做圆，圆弧外的半导体基质都刻蚀成电极，从而留下带弧状的斜纹体半导体基体。

2.根据权利要求1所述的一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，其特征在于，所述新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器通过共用沟槽电极(2)的电极壁形成M*N阵列探测器，其中M,N均为正整数，探测器是一个PIN结：P型半导体-绝缘层-N型半导体形，其中，重掺杂的P/N型半导体硅的电阻率与轻掺杂的P/N半导体硅不同，在半导体基体上进行刻蚀，形成沟槽电极(2)和中央柱状电极(3)，然后沟槽电极(2)采用N型硅重掺杂，中央柱状电极(3)采用P型硅重掺杂，半导体基体(1)采用P型轻掺杂。

3.根据权利要求1所述的一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，其特征在于，所述半导体基体(1)的半导体材料采用Si、Ge、HgI₂、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI₂和AlSb中的一种或多种的组合。

4.根据权利要求1所述的一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，其特征在于，所述新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器高度为100至300微米。

5.根据权利要求1所述的一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，其特征在于，所述中央柱状电极(3)宽度为10微米。

6.根据权利要求1所述的一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，其特征在于，所述电极接触层(4)为铝电极接触层。

7.根据权利要求1所述的一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，其特征在于，所述电极接触层(4)厚度为1微米，所述二氧化硅衬底层(5)厚度为1微米。

8.根据权利要求1所述的一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，其特征在于，所述斜纹状实体缝隙(6)的宽度小于10微米。