[实用新型]一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器

说明书

技术领域

本实用新型涉及抗辐照半导体元器件技术领域，具体为一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器。

背景技术

光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件，它由发光源和受光器两部分组成，把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。

随着目前中国航天事业的发展，航天用户对半导体器件抗辐照、高可靠的要求日益突出，目前现有的光电耦合器类半导体器件抗辐照性能差、可靠性差，不能作为航天器件适用，因此对器件抗辐照性能、高可靠性的需求迫在眉睫，故而我们提出了一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，来解决以上的问题。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，具备全密封封装、抗辐照性能强、避免光互扰及可靠性高等优点，解决了目前光电耦合器类半导体器件抗辐照性能差、可靠性差，不能作为航天器件适用的问题。

(二)技术方案

为实现上述抗辐照性能强、避免光互扰及可靠性高等目的，本实用新型提供如下技术方案：一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，包括金属陶瓷全密封封装管壳，所述管壳包括位于底部的金属陶瓷全密封封装的管座，在管座上开设有多个相同的通道，每个所述通道内间隔分布有第一金属化区域和第二金属化区域，在第二金属化区域的中心位置处粘接有光电三极管芯片，所述光电三极管芯片的第一电极粘接在所述第二金属化区域，且所述光电三极管芯片的第二电极通过键合丝与第一金属化区域连接。

所述管座在每个所述通道上方装有一内盖板，在内盖板上分别设置有第三金属化区域和第四金属化区域，且在第三金属化区域靠近第四金属化区域的末端粘接有红外发光二极管芯片，所述红外发光二极管芯片的第一电极粘接在该第三金属化区域；所述红外发光二极管芯片的第二电极通过键合丝与第四金属化区域连接；所述红外发光二极管芯片与所述光电三极管芯片形成上下对射式结构；所述第一至第四金属化区域通过管壳内部金属化线条与管座的外部管脚连接。金属化线条的形成是给管座的每层陶瓷上穿孔，然后在孔中注入金属化。

所述管座在相邻通道中间设置有隔离墙。

所述管壳还包括在管座顶端固定安装的外盖板，外盖板的边缘固定在管座的金属焊框上，所述管座的侧面固定安装有所述外部管脚，管座内部金属化区域通过金属化线条与该外部管脚相连。

优选的，所述隔离墙的高度高于内盖板0.6mm。

优选的，所述外部管脚的数量为十六个，且对称分布在管座的两侧。

优选的，所述管壳左侧金属焊框与陶瓷体之间的金属化条为定位标记引线。

优选的，所述管座在每个所述通道上方具有一台阶状卡槽，所述台阶状卡槽内安装所述内盖板。

优选的，所述管壳的所有金属化区域的外表面均镀有镍层，且在镍层外有镀金层。

优选的，所述管座顶端的设置有独立的金属焊框，且金属焊框的顶端与外盖板搭接，通过平行缝焊实现密封。金属焊框为了实现外盖板与管座的密封性。

优选的，所述光电三极管芯片为硅抗辐照光电三极管。

(三)有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，具备以下有益效果：

1、该多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，将红外发光二极管芯片通过键合丝与内盖板连接，红外发光二极管芯片与光电三极管芯片形成上下立体对射式传输结构，提高传输的效率，灵敏度高，采用金属陶瓷全密封封装管壳，抗辐照性能强。

2、该多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，各通道间电源和地相互独立，相邻通道间采用隔离墙，避免光互扰，抗干扰能力强，提高可靠性，能适用于航天器件使用。

附图说明

图1为本实用新型任一通道的装配剖切结构示意图；

图2为本实用新型俯视剖切结构示意图；

图3为本实用新型内盖板结构示意图；

图4为本实用新型正视剖切结构示意图；

图5为本实用新型侧视剖切结构示意图；

图6为本实用新型管壳管脚位置结构示意图；

图7为本实用新型正视外形结构示意图；

图8为本实用新型侧视外形结构示意图；

图9为本实用新型俯视外形结构示意图。