[实用新型]一种基于二硫化钨的调Q脉冲激光器有效
| 申请号： | 201720891156.2 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN207069285U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 常建华;杨镇博;戴峰;杨闵皓;李寒寒 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | H01S3/113 | 分类号： | H01S3/113 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人： | 戴朝荣 |
| 地址： | 210019 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硫化 脉冲 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于二硫化钨的调Q脉冲激光器，其特征在于，包括：依次排布的半导体激光器（1）、耦合透镜（2）、平面镜（3）、Yb:GAB晶体（4）、二硫化钨可饱和吸收体（5）和凹透镜（6）；所述半导体激光器（1）带尾纤输出，半导体激光器（1）产生的连续光经过耦合透镜（2）聚焦，聚焦后的连续光依次经过平面镜（3）和Yb:GAB晶体（4），然后通过二硫化钨可饱和吸收体（5），最后由凹透镜（6）输出调Q脉冲激光；其中，所述凹透镜（6）的凹面朝向二硫化钨可饱和吸收体（5）的输出端，所述平面镜（3）和凹透镜（6）之间形成谐振腔。
2.如权利要求1所述的一种基于二硫化钨的调Q脉冲激光器，其特征在于：所述半导体激光器（1）发射的连续光中心波长为976nm，凹透镜（6）最终输出波长为1044nm的调Q脉冲激光。
3.如权利要求2所述的一种基于二硫化钨的调Q脉冲激光器，其特征在于：所述平面镜（3）朝向半导体激光器（1）的一面镀有976nm增透膜。
4.如权利要求2所述的一种基于二硫化钨的调Q脉冲激光器，其特征在于：所述平面镜（3）朝向半导体激光器（1）的一面镀有1044nm高反膜。
5.如权利要求2所述的一种基于二硫化钨的调Q脉冲激光器，其特征在于：所述凹透镜（6）朝向二硫化钨可饱和吸收体（5）的一面镀有1044nm高透膜。
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