[实用新型]瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201720896650.8 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN207068844U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 周源;郭艳华;李明宇;张欣慰 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,张靖琳 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：
第一掺杂类型的半导体衬底；
位于所述半导体衬底第一表面上的第二掺杂类型的外延层，其中第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；
第一掺杂类型的隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；
第一掺杂类型的掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；
第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及
第二电极，用于将所述隔离区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。
2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括位于所述外延层上的绝缘层。
3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括第三电极，所述第三电极位于所述半导体衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。
4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二隔离岛围绕所述第一隔离岛。
5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型或P型，所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京燕东微电子有限公司，未经北京燕东微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720896650.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低成本非接触式双界面载带模块
- 下一篇：一种多芯片串联式背光LED
