[实用新型]瞬态电压抑制器

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：

第一掺杂类型的半导体衬底；

位于所述半导体衬底第一表面上的第二掺杂类型的外延层，其中第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；

第一掺杂类型的隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；

第一掺杂类型的掺杂区，在所述第一隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；

第一电极，用于将所述掺杂区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括位于所述外延层上的绝缘层。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极位于所述半导体衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二隔离岛围绕所述第一隔离岛。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型或P型，所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一个。