[实用新型]电流基准电路

权利要求书

1.一种电流基准电路，包括：

设置在基板中的电压生成装置，所述电压生成装置具有温度依赖性电压；

电阻器，所述电阻器具有与所述电压生成装置成比例的比例温度依赖性电阻；

一个或多个二极管，所述一个或多个二极管连接到所述电压生成装置以将所述电阻器热耦接到所述电压生成装置；以及

热桥，所述热桥包括耦接在所述一个或多个二极管和所述电阻器之间的一个或多个金属合金触点，所述一个或多个二极管在所述电路被通电时形成反向偏置结，其中所述热桥在所述电压生成装置和所述电阻器之间提供热传导以用于提供基准电流输出。

2.根据权利要求1所述的电流基准电路，其中所述电阻器电耦合到所述电压生成装置，使得当所述电路被通电时，通过所述电阻器生成由于所述电阻器的与所述电压生成装置成比例的温度依赖性电阻而被根据温度变化补偿的所述基准电流输出。

3.根据权利要求1所述的电流基准电路，还包括电压测量装置，所述电压测量装置测量所述电压生成装置两端的电压和所述电阻器两端的电压，其中通过所述电阻器的电流电平与所述电阻器两端的电压和由所述电压生成装置生成的电压的比值成比例。

4.根据权利要求1所述的电流基准电路，其中所述一个或多个二极管包括多个二极管，并且所述一个或多个金属合金触点包括多个金属合金触点，所述金属合金触点中的每一个都热耦接到所述一个或多个二极管中的相应的二极管的对应的N掺杂区域。

5.根据权利要求1所述的电流基准电路，其中所述电阻器形成在所述基板上方，并且所述热桥形成在所述电阻器和所述电压生成装置之间。

6.根据权利要求1所述的电流基准电路，其中所述电阻器由细长的金属合金部分形成。

7.一种电流基准电路，包括：

电压生成装置，具有温度依赖性电压；电阻器，具有与所述电压生成装置成比例的温度依赖性电阻；一个或多个二极管，连接到所述电压生成装置以将所述电阻器热耦接到所述电压生成装置；以及热桥，包括耦接在所述一个或多个二极管和所述电阻器之间的一个或多个金属合金触点；并且

所述电压生成装置被配置为被通电使得在所述一个或多个二极管中形成反向偏置结，其中所述热桥在所述电压生成装置和所述电阻器之间提供热传导以用于提供基准电流输出。

8.根据权利要求7所述的电流基准电路，还包括电压测量电路，所述电压测量电路被配置为测量所述电压生成装置两端的电压和所述电阻器两端的电压，其中通过所述电阻器的电流电平与所述电阻器两端的电压和由所述电压生成装置生成的电压的比值成比例。

9.根据权利要求7所述的电流基准电路，其中所述电阻器设置在基板上方，并且所述热桥形成在所述电阻器和所述电压生成装置之间。

10.一种电流基准电路，包括：

设置在基板中的与绝对温度成比例PTAT电路，所述PTAT电路具有温度依赖性电压；

电阻器，所述电阻器具有与所述PTAT电路类似的相对成比例温度依赖性电阻，所述电阻器电耦合到所述PTAT电路并且由细长的金属合金部分形成；

一个或多个二极管，所述一个或多个二极管连接到所述PTAT电路以热耦接所述基板和所述PTAT电路；以及

热桥，所述热桥包括耦接在所述一个或多个二极管和所述电阻器之间的一个或多个金属合金触点，所述一个或多个二极管在所述电流基准电路被通电时形成反向偏置结，其中所述热桥在所述PTAT电路和所述电阻器之间提供热传导以用于提供基准电流输出。

11.根据权利要求10所述的电流基准电路，其中所述一个或多个二极管包括单个二极管，并且所述一个或多个金属合金触点包括多个金属合金触点，所述金属合金触点中的每一个都热耦接到所述单个二极管的N掺杂区域。