[实用新型]一体化可控硅调功、调压器有效

专利信息
申请号: 201720904700.2 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN206948226U 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 徐丽;唐建华 申请(专利权)人: 重庆赛能软件技术有限公司
主分类号: H02P9/30 分类号: H02P9/30
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 代理人: 李朝虎
地址: 400000 重庆市*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一体化 可控硅 调压器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及发电控制领域,具体涉及一体化可控硅调功、调压器。

背景技术

可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

目前可控硅在发电机励磁领域应用较少,主要是因为无法对三相电路中的任意两相进行调功调压,从而很难应用于发电机励磁系统。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是现有的可控硅调功调压器无法对三相电路中的任意两相进行调功调压,从而很难应用于发电机励磁系统,目的在于提供一体化可控硅调功、调压器,解决上述问题。

本实用新型通过下述技术方案实现:

一体化可控硅调功、调压器,包括三相电接口A、B和C,还包括调功调压接口A1、B1和C1;所述A与B接调功调压器F1的输入端,且A1接调功调压器F1的输出端;所述A与C接调功调压器F2的输入端,且B1接调功调压器F2的输出端;所述B与C接调功调压器F3的输入端,且C1接调功调压器F3的输出端;所述F1、F2和F3的结构相同,且F1包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、电容C1、运算放大器IC1、脉冲分配器IC2、整流器IC3、双向晶闸管VS、第一输入端VIN1、第二输入端VIN2、输出端VOUT1、触点开关S和三极管T1;所述IC3的两个输入端分别连接VIN1和VIN2,且IC3的一个输出端连接IC1的正电源接口,IC3另一个输出端接口连接R1的一端,R1的另一端连接IC1的反相输入端;所述C1的一端连接于IC1的正电源接口,C1的另一端接地,所述IC1的同相输入端连接IC1的负电源接口并接地;所述IC1的输出端连接IC2的CLK引脚;所述IC2的RST引脚连接S的输入端,且Q2、Q3、Q4和Q5引脚分别连接于S的不同触点;所述IC2的Q0引脚连接于D1的正极,D1的负极连接于R2的一端,且R2的另一端连接于T1的基极;所述IC2的Q1引脚连接于D2的正极,D2的负极连接于D1的负极;所述R3一端连接于IC1的正电源接口,另一端连接于T1的集电极;所述T1的发射极连接于VS的门极,且VS的一个主电极接地,另一个主电极连接R4的一端,R4的另一端连接VOUT1。

现有技术中,目前可控硅在发电机励磁领域应用较少,主要是因为无法对三相电路中的任意两相进行调功调压,从而很难应用于发电机励磁系统。本实用新型应用时,在三相电路的三相间,两两接调功调压器,并生成新的三相电路接口,由于F1、F2和F3的结构相同,所以在此只阐述F1的原理;VIN1和VIN2的输入电流经过IC3整流后,经R1加入IC1的反相输入端,当电压过零时,IC1出现过零脉冲,并发送至IC2,IC2将过零脉冲进行计数和分配,S控制过零脉冲的档位,而将过零脉冲经R2进入T1和VS时,T1截止或导通,而VS也经门极电流的变化截止或导通,从而在控制电压功率变化的前提下,保证了VOUT1输出的电流相位保持稳定;F1、F2和F3形成了新的三相输出端A1、B1和C1,从而可以很容易的调整A1、B1和C1任意两者之间的电压和功率,进而可以很好的应用于发电机励磁系统。

进一步的,所述运算放大器IC1采用TL082。

进一步的,所述脉冲分配器IC2采用CD4017。

进一步的,所述整流器IC3采用桥式整流器。

进一步的,所述R1采用8~10k欧姆;所述R2采用2~4k欧姆;所述R3采用200~300欧姆。

本实用新型与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:

本实用新型一体化可控硅调功、调压器,F1、F2和F3形成了新的三相输出端A1、B1和C1,从而可以很容易的调整A1、B1和C1任意两者之间的电压和功率,进而可以很好的应用于发电机励磁系统。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中:

图1为本实用新型电路结构示意图;

图2为本实用新型F1电路结构示意图。

具体实施方式

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