[实用新型]一种用于功率半导体DPOLY工艺的立式炉工艺舟有效
| 申请号： | 201720905569.1 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN207425822U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 彭新华;江冰松;尚可;马亮;廖才能 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 | 代理人： | 朱绘;张文娟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 支撑构件 安置台 本实用新型 功率半导体 立式炉 上表面 备件消耗 多层安置 非水平面 腔体构造 腔体内壁 腔体内部 水平定位 体内构造 硬件成本 有效减少 安置口 粘连 安置 放入 腔体 支撑 配置 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于功率半导体DPOLY工艺的立式炉工艺舟，所述工艺舟包括腔体，其中：
所述腔体构造有用于将硅片放入所述腔体内部的安置口；
所述腔体内构造有一层或多层安置台，每层安置台对应安置一片硅片；
每层安置台包含一个或多个固定安装在所述腔体内壁的支撑构件，所述安置台配置为利用所述支撑构件支撑所述硅片以实现对所述硅片的水平定位安置；
所述支撑构件配置为其在支撑所述硅片时上表面与所述硅片接触，其中，所述上表面构造为非水平面结构。
2.根据权利要求1所述的工艺舟，其特征在于，所述上表面构造为斜面。
3.根据权利要求2所述的工艺舟，其特征在于，所述上表面构造为在由所述腔体内壁到所述腔体内中心方向上向下的斜面。
4.根据权利要求3所述的工艺舟，其特征在于，所述上表面与水平面的夹角为30度。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的工艺舟，其特征在于，每层安置台包含1个所述支撑构件，所述支撑构件呈弧状围绕所述腔体内中心。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的工艺舟，其特征在于，每层安置台包含多个所述支撑构件，多个所述支撑构件围绕所述腔体内中心等间距排布。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的工艺舟，其特征在于，每层安置台包含4个所述支撑构件。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的工艺舟，其特征在于，所述腔体一侧完全开放作为所述安置口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
