[实用新型]一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源

权利要求书

1.一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成；其特征是，

上述PTAT电流产生电路由MOS管M12-M19和电阻R0组成；MOS管M12和MOS管M13的源极与电源VDD连接；MOS管M18的源极直接与地GND连接；MOS管M19的源极经电阻R0与地GND连接；MOS管M12的漏极与MOS管M14的源极连接；MOS管M14的漏极与MOS管M16的漏极连接；MOS管M16的源极与MOS管M18的漏极连接；MOS管M13的漏极与MOS管M15的源极连接；MOS管M15的漏极与MOS管M17的漏极连接；MOS管M17的源极与MOS管M19的漏极连接；MOS管M13的栅极与漏极共接后，与MOS管M12的栅极连接，并共同形成PTAT电流产生电路的第二支路电流输出端，与基准电压产生电路连接；MOS管M15的栅极与漏极共接后，与MOS管M14的栅极连接，并共同形成PTAT电流产生电路的第三支路电流输出端，与基准电压产生电路连接；MOS管M16的栅极与漏极共接后，与MOS管M17的栅极连接，并共同形成PTAT电流产生电路的输入端，与启动电路连接；MOS管M18的栅极与漏极共接后，与MOS管M19的栅极连接；

上述CTAT电流产生电路由MOS管M20-M27和电阻R1组成；MOS管M20和MOS管M21的源极与电源VDD连接；MOS管M26的源极直接与地GND连接；MOS管M27的源极经电阻R1与地GND连接；MOS管M20的漏极与MOS管M22的源极连接；MOS管M22的漏极与MOS管M24的漏极连接；MOS管M24的源极与MOS管M26的漏极连接；MOS管M21的漏极与MOS管M23的源极连接；MOS管M23的漏极与MOS管M25的漏极连接；MOS管M25的源极与MOS管M27的漏极连接；MOS管M21的栅极与漏极共接后，与MOS管M20的栅极连接，并共同形成CTAT电流产生电路的第四支路电流输出端，与基准电压产生电路连接；MOS管M23的栅极与漏极共接后，与MOS管M22的栅极连接，并共同形成CTAT电流产生电路的第五支路电流输出端，与基准电压产生电路连接；MOS管M24的栅极与漏极共接后，与MOS管M25的栅极连接；MOS管M26的栅极与漏极共接后，与MOS管M27的栅极连接；

其中PTAT电流产生电路的电阻R0与CTAT电流产生电路的电阻R1的材质不同。

2.根据权利要求1所述的一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，其特征是，PTAT电流产生电路的电阻R₀为高掺杂多晶硅电阻，CTAT电流产生电路的电阻R₁为阱电阻。

3.根据权利要求1所述的一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，其特征是，所述启动电路由MOS管M1-M11组成；

MOS管M1、MOS管M5、MOS管M8和MOS管M10的源极与电源VDD连接；MOS管M4、MOS管M7和MOS管M11的源极和漏极，以及MOS管M6和MOS管M9的源极与地GND连接；MOS管M1的栅极与漏极共接后，与MOS管M2的源极连接；MOS管M2的栅极与漏极共接后，与MOS管M3的源极连接；MOS管M3的栅极与漏极共接后，与MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的栅极连接；MOS管M5的漏极与MOS管M6的漏极共接后，与MOS管M7的栅极连接；MOS管M8的栅极和MOS管M9的栅极共接后，与MOS管M7的栅极连接；MOS管M8和MOS管M9的漏极与MOS管M10和MOS管M11的栅极连接；MOS管M11的漏极作为启动电路输出与PTAT电流产生电路连接。