[实用新型]薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201720909180.4 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN207233749U | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 王士敏;赵湘辉;李绍宗;朱泽力;古海裕 | 申请(专利权)人: | 深圳莱宝高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/048 |
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地址: | 518107 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种薄膜太阳能电池。
背景技术
工业革命的发展给人类社会带来福祉的同时也引发并加剧了人与自然之间的矛盾。一方面,人类对大自然毫无节制的索取导致能源短缺问题日益严重,长此以往,我们将置子孙后代于资源枯竭、无能源可用的尴尬境地;另一方面,石油、煤等石化能源的大量使用导致生态环境急剧恶化,水、空气渐渐都蜕变成了毒水、毒气,侵蚀了人类维持生存所不可或缺的物质基础:代际公平和人类的永续发展成为当今世界不得不共同面对并付出实际努力以解决的问题。
发展绿色替代能源,尤其是发展太阳能电池,是解决上述问题的有效途径。
太阳能电池是利用半导体材料的光生伏特效应(即光伏效应)将太阳辐射能直接转换为电能,是一种廉价、清洁、高效、无污染的“绿色”新型能源。其中铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池由于具有制造成本低、性能稳定、抗辐射能力强、光谱响应范围宽、光电转换效率高等优点,被国际公认是下一代最有前景的太阳能电池。
现有技术中,CIGS 薄膜太阳能电池典型结构为:衬底玻璃,Mo 背电极,CIGS 吸收层,CdS 缓冲层,本征ZnO 和AZO 窗口层,Ni-Al 栅电极,MgF2减反层,完成电池组制备后需要在上面再通过EVA 贴合保护玻璃,即CIGS太阳能电池至少包括两片玻璃基板。
然而,在某些应用领域中,要求太阳能电池组件轻薄化。例如,在太阳能电池组件与建筑相结合的应用(光伏建筑一体化,简称BIPV)领域要求太阳能电池组件轻薄化,实现太阳能组件轻薄化有利于加快建筑技术和光伏技术的进一步结合,促进光伏建筑一体化的快速发展。
在保持太阳能电池光电转换效率的前提下,实现太阳能电池的轻薄化是太阳能电池技术领域一个亟待解决的技术问题。
实用新型内容
针对现有技术问题,本实用新型提供一种薄膜太阳能电池,在保持太阳能电池光电转换效率的前提下,能实现太阳能电池组件的轻薄化。
为达到上述技术效果,本实用新型提供的技术方案如下。
一种薄膜太阳能电池,包括依次叠合的基板、光吸收层、缓冲层、窗口层和上电极层,所述光吸收层位于所述基板一侧,所述缓冲层位于所述光吸收层远离所述基板的一侧,所述窗口层位于所述缓冲层远离所述光吸收层的一侧,所述上电极层位于所述窗口层远离所述缓冲层的一侧,所述薄膜太阳能电池还包括一第一凹槽和一第一绝缘块,所述第一凹槽是通过使用激光对沉积有所述光吸收层、所述缓冲层和所述窗口层的所述基板进行刻划,通过以细线形式去除所述光吸收层的一部分、所述缓冲层的一部分和所述窗口层的一部分来进行构图所形成的图案,所述绝缘块设置于所述第一凹槽内,太阳光从所述基板远离所述光吸收层的一侧进入所述薄膜太阳能电池。
本实用新型较佳实施例中,所述薄膜太阳能电池还包括一第二凹槽,所述第二凹槽是通过使用刻针或激光对沉积有所述光吸收层、所述缓冲层和所述窗口层的所述基板进行刻划,通过以所述第一凹槽为参考位置偏移规定量,以细线形式去除所述缓冲层的一部分和所述窗口层的一部分来进行构图所形成的图案,所述上电极层填入所述第二凹槽内。
本实用新型较佳实施例中,所述薄膜太阳能电池还包括一第三凹槽,所述第三凹槽是指通过使用刻针或激光对沉积完所述上电极层的所述基板进行刻划,通过以所述第一凹槽或所述第二凹槽为参考位置偏移规定量,以细线形式去除所述缓冲层的一部分、所述窗口层的一部分和所述上电极层的一部分来进行构图所形成的图案。
本实用新型较佳实施例中,所述薄膜太阳能电池还包括一保护层,所述保护层设置于所述上电极层远离所述光吸收层的一侧。
本实用新型较佳实施例中,所述保护层为金属氧化物或金属氮氧化物。
本实用新型较佳实施例中,所述薄膜太阳能电池还包括一减反射膜层,所述减反射膜层设置于所述上电极层远离所述光吸收层的一侧。
本实用新型较佳实施例提供的薄膜太阳能电池,相对于现有技术,一方面省掉了一块基板,减小了薄膜太阳能电池的重量,实现了太阳能电池组件的轻薄化;另一方面,省掉了背电极层,太阳光通过基板后直接进入光吸收层,提高了光的利用率。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:
图1为本实用新型较佳实施例提供的薄膜太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
为说明本实用新型实施例提供的薄膜太阳能电池,以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的