[实用新型]全自动扩膜机有效
申请号: | 201720913329.6 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN207097786U | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 魏峰;蔡家豪;马建华;吴钊;陈明浩;魏莹;王亚杰;邱智中;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 全自动 扩膜机 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体设备领域,尤其涉及一种自动夹取片源、放置片源,检测扩膜歪异常,调节晶粒位置及控制扩膜大小的全自动扩膜机。
背景技术
目前常规晶粒的制作方法为:提供一衬底,在衬底通过MOCVD方法进行外延沉积形成外延片,然后将外延片切割成多个阵列的晶粒,晶粒置于蓝膜或者白膜上,为了便于后续将不同规格的晶格进行分选,需先将蓝膜或者白膜通过扩膜机拉伸,使其上晶粒的间距扩大。
目前常用的扩膜机需人工操作的部分较多,例如手动放片和取片,并且因无检测扩膜尺寸机构而导致扩膜效率降低,产生异常片源续流,降低良率的问题。
发明内容
本实用新型公开了全自动扩膜机,至少包括平台,位于所述平台上的进料区、扩膜机构、出料区,以及主控单元,所述扩膜机构位于进料区和出料区的中间,所述进料区和出料区分别放置有存放晶片的第一料盒和第二料盒,所述主控单元控制扩膜机的运作,其特征在于:还包括第一夹取机构和第二夹取机构,所述第一夹取机构的顶端包括感应晶片位置的第一感应装置,所述第二夹取机构顶端包括吸附晶片的真空吸附装置,所述扩膜机构上设置有复数个感应扩膜尺寸的第二感应装置,所述扩膜机构上方还设置有扫描装置以及抓取晶粒的第三夹取机构。
优选的,所述第一感应装置、第二感应装置均为光电感应装置。
优选的,所述第一感应装置、第二感应装置均包括一光源和一传感器
优选的,所述扩膜机构至少包括放置晶片的载台,以及置于所述载台上方的下压环。
优选的,所述第二感应装置包括分布于载台外周的复数个传感器和分布于所述下压环上的复数个光源,所述光源与传感器位置对应。
优选的,所述下压环上设置有呈“十”字排列的滑轨,所述复数个光源置于所述滑轨上,并沿滑轨移动。
优选的,所述第二感应装置的数目大于或等于4。
优选的,所述第三夹取机构顶端具有吸附晶粒的吸嘴。
优选的,所述扫描装置为CCD。
本实用新型在现有扩膜机的基础上,进行改进,增设第一夹取机构、第二夹取机构、第三夹取机构和扫描装置以及在扩膜机构上设置光电感应装置,从而实现扩膜机的自动夹取片源、放置片源,检测扩膜歪异常,调节晶粒位置及控制扩膜大小的功能,形成全自动扩膜机。从而节省人力、减少异常片源续流,提高良率。
附图说明
图1为本实用新型之全自动扩膜机侧视结构示意图。
图2为本实用新型之下压环俯视结构示意图。
图3为本实用新型之载台俯视结构示意图。
附图标注:10.平台;20.扩膜机构;21.载台;211.传感器;22.下压环;221.光源;222.滑轨;30.主控单元;41.第一料盒;42.第二料盒;50.第一夹取机构;51.第一感应装置;60.第二夹取机构;61.真空吸附装置;70.扫描装置;80.第三夹取机构。
具体实施方式
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
实施例1
参看附图1,本实用新型公开了全自动扩膜机,至少包括平台10,位于平台10上的进料区、扩膜机构20、出料区,以及主控单元30,扩膜机构20位于进料区和出料区的中间,进料区和出料区分别放置有存放晶片的第一料盒41和第二料盒42,主控单元30控制扩膜机的运作,其还包括第一夹取机构50和第二夹取机构60,第一夹取机构50的顶端包括感应晶片位置的第一感应装置51,第二夹取机构60顶端包括吸附晶片的真空吸附装置61,扩膜机构20上方还设置有扫描装置70以及抓取晶粒的第三夹取机构80。第三夹取机构80顶端具有吸附晶粒的吸嘴81。第一感应装置51为光电感应装置,由光源和传感器组成。扫描装置70为CCD。扩膜机构20至少包括放置晶片的载台21,以及置于载台21上方的下压环22。晶片则是有复数个阵列的晶粒粘附于蓝膜或者白膜上形成,扩膜即拉伸蓝膜或者白膜,使晶粒之间的间距增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造