[实用新型]应用于单线圈风扇驱动芯片中的反接保护电路有效

专利信息
申请号: 201720918366.6 申请日: 2017-07-27
公开(公告)号: CN207150167U 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 田剑彪;俞明华;王丹平 申请(专利权)人: 绍兴光大芯业微电子有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 312000*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 应用于 线圈 风扇 驱动 芯片 中的 反接 保护 电路
【权利要求书】:

1.应用于单线圈风扇驱动芯片中的反接保护电路,其特征在于该反接保护电路接于芯片外部电源端与芯片内部电源端之间,输入端与外部电源端相连,输出端与芯片内部电源端相连。

2.根据权利要求1所述的反接保护电路,其中一种结构包括一PMOS晶体管、一稳压管和一电阻,其特征在于,PMOS晶体管的漏端接外部电源端,背栅与源端和稳压管的负端与芯片内部电源端相连,稳压管的正端与PMOS晶体管的栅端和电阻的一端相连,电阻的另一端连到地端。

3.根据权利要求1所述的反接保护电路,另一种结构包括一PMOS晶体管、一稳压管、一电阻和一肖特基二极管,其特征在于,PMOS晶体管的漏端与外部电源端相连,背栅与源端和稳压管的负端与芯片内部H桥结构部分的电源端相连,稳压管的正端与PMOS晶体管的栅端和电阻的一端相连,电阻的另一端连到地端,肖特基二极管的正端与外部电源端相连,负端与芯片内部除了H桥结构部分外的公共电源端相连。

4.根据权利要求3所述的反接保护电路,其特征在于,所述肖特基二极管的反向击穿电压大于芯片的最高工作电压。

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