[实用新型]双向电流自适应功率放大器偏置电路

权利要求书

1.一种双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，包括：运算放大器、正向调节电路、翻转调节电路以及反馈电路；

所述运算放大器的输出端分别连接所述正向调节电路的第一输入端、所述翻转调节电路的第一输入端；所述反馈电路的一端、所述正向调节电路的输出端、所述翻转调节电路的输出端均连接所述双向电流自适应功率放大器偏置电路的输出端，所述反馈电路的另一端连接运算放大器的反相输入端，所述正向调节电路的第二输入端连接负电源，所述翻转调节电路的第二输入端连接地端；所述运算放大器的反相输入端为所述双向电流自适应功率放大器偏置电路的电压信号输入端；

当所述双向电流自适应功率放大器偏置电路的电流未发生翻转时，所述正向调节电路导通，此时通过正向调节电路连接的负电源吸收电流，并经过所述反馈电路，使所述双向电流自适应功率放大器偏置电路的输出端电压维持稳定；

当所述双向电流自适应功率放大器偏置电路的电流发生翻转时，所述翻转调节电路导通，此时通过翻转调节电路连接的地端释放电流，并经过所述反馈电路，使所述双向电流自适应功率放大器偏置电路的输出端电压维持稳定。

2.根据权利要求1所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，所述运算放大器为双电源运算放大器，所述双电源运算放大器的供电正端连接正电源，所述双电源运算放大器的供电负端连接所述负电源。

3.根据权利要求1所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，还包括：第一电阻和第二电阻；

所述运算放大器的反向输入端通过所述第一电阻连接电信号输入端；所述运算放大器的同向输入端通过所述第二电阻接地。

4.根据权利要求1所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，所述正向调节电路包括第三电阻、第四电阻以及第一场效应晶体管；

所述第三电阻的一端为所述正向调节电路的第一输入端，所述第三电阻的另一端连接所述第一场效应晶体管的栅极，所述第一场效应晶体管的源极为所述正向调节电路的输出端，所述第一场效应晶体管的漏极连接第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端为所述正向调节电路的第二输入端。

5.根据权利要求1所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，所述翻转调节电路包括第五电阻、第六电阻以及第二场效应晶体管；

所述第五电阻的一端为所述翻转调节电路的第一输入端，所述第五电阻的另一端连接所述第二场效应晶体管的栅极，所述第二场效应晶体管的源极为翻转调节电路的输出端，所述第二场效应晶体管的漏极连接第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端为所述翻转调节电路的第二输入端。

6.根据权利要求1所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，所述反馈电路包括第七电阻；

所述第七电阻的两端为所述反馈电路的两端。

7.根据权利要求4所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管为PMOSFET。

8.根据权利要求5所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，所述第二场效应晶体管为NMOSFET。

9.根据权利要求2所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，所述正电源还连接第一电容的一端，所述第一电容的另一端接地。

10.根据权利要求1-9任一项所述的双向电流自适应功率放大器偏置电路，其特征在于，

所述负电源还连接第二电容器的第一端，所述第二电容器的第二端接地。