[实用新型]多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器

权利要求书

1.一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，其特征在于：包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；

浮栅晶体管的栅极连接负电压，基极连接正电压，位线选择栅接地，源极选择栅接地，源极线连接正电压，位线连接正电压，在浮栅晶体管的基极与栅极之间产生强电场，浮栅中的电子被移除，从而实现了擦除功能，同时降低了浮栅晶体管的阈值。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：具体包括第一字线、第二字线、第一位线、第二位线、位线选择线、源极选择线、第一阱耦合电容、第二阱耦合电容、第一选择管、第二选择管、第一存储晶体管、第二存储晶体管以及源极选择管，所述第一选择管的漏极、栅极以及源极分别与第一位线、位线选择线以及第一存储晶体管的漏极连接，所述第一存储晶体管的栅极与第一阱耦合电容的多晶硅层相连后形成第一浮栅，所述第一阱耦合电容的阱区与第一字线连接，所述第一存储晶体管源极与源极选择管的漏极相连；

所述第二选择管的漏极、栅极以及源极分别与第二位线、位线选择线以及第二存储晶体管的漏极相连，所述第二存储晶体管的栅极与第二阱耦合电容的多晶硅层相连后形成第二浮栅，所述第二阱耦合电容的阱区与第二字线连接，所述第二存储晶体管源极与源极选择管的漏极相连；所述源极选择管的栅极和源极分别连接源极选择线和源极线。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于：所述第一选择管、第二选择管、第一存储晶体管、第二存储晶体管以及源极选择管的基极连接同一衬底。