[实用新型]用于蚀刻半导体衬底上的氧化物的系统有效
| 申请号： | 201720936338.7 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN207183221U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 吴鑫;郑波;马振国;王晓娟;王春 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 半导体 衬底 氧化物 系统 | ||
1.一种用于蚀刻半导体衬底上的氧化物的系统，其特征在于包括：
反应腔室，用于对半导体衬底执行蚀刻工艺，所述蚀刻工艺包括采用第一催化气体和HF的第一气相蚀刻和采用第二催化气体和HF的第二气相蚀刻；
进气单元，用于向反应腔室内引入第一催化气体和HF的混合气体或者分开向反应腔室内引入第二催化气体和HF气体；
控制单元，用于动态控制反应腔室内的压力以及引入反应腔室内的气体的进气顺序。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述控制单元在引入第一催化气体和HF的混合气体时使反应腔室内保持高压力，在分开向反应腔室内引入第二催化气体和HF气体时使反应腔室内保持低压力。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述高压力范围为50～150Torr，所述低压力范围为1～5Torr。
4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述进气顺序为：首先向反应腔室内引入第一催化气体和HF的混合气体以进行第一气相蚀刻；然后分开向所述反应腔室内引入第二催化气体和HF气体以进行第二气相蚀刻。
5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述进气单元还可以用于向反应腔室内引入惰性气体。
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
在整个蚀刻过程中，向所述反应腔室内引入惰性气体。
7.根据权利要求1-6中的任意一项所述的系统，其特征在于，所述第一催化气体是醇类气体，第二催化气体是氨气。
8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述醇类气体包括甲醇、乙醇或异丙醇等。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
