[实用新型]一种高功率半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201720939836.7 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN207218000U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 韦欣;徐建人 | 申请（专利权）人： | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)33253 | 代理人： | 李伊飏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 结构 | ||
1.一种高功率半导体激光器结构，包括衬底层(1)以及在所述衬底层(1)由下至上依次生长的缓冲层(2)、过渡层一(3)、波导层一(4)、过渡层二(5)、限制层一(6)、有源层(8)、限制层二(10)、过渡层三(11)、波导层二(12)、过渡层四(13)和接触层(14)，其特征在于：所述限制层一(6)和所述有源层(8)之间设有隔离层一(7)，所述有源层(8)和所述限制层二(10)之间设有隔离层二(9)，所述隔离层一(7)和所述隔离层二(9)为非故意掺杂的砷化镓材料。
2.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器结构，其特征在于：所述的隔离层一(7)和所述隔离层二(9)厚度小于3nm。
3.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器结构，其特征在于：所述衬底层为单晶砷化镓，所述单晶砷化镓为本征型、n型或p型。
4.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器结构，其特征在于：所述波导层一(4)为砷化铝镓，所述波导层一(4)厚度100～2000nm。
5.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器结构，其特征在于：所述限制层一(6)为砷化铝镓，所述限制层一(6)厚度100～2000nm，所述限制层一(6)的铝含量小于所述波导层一(4)的铝含量。
6.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器结构，其特征在于：所述限制层二(10)为掺杂类型与所述限制层一(6)相反的砷化铝镓材料，所述限制层二(10)的厚度为100～2000nm，所述限制层二(10)的铝含量小于所述波导层一(4)的铝含量。
7.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器结构，其特征在于：所述波导层二(12)为掺杂类型与所述波导层一(4)相反的砷化铝镓材料，所述波导层二(12)的厚度为100～2000nm。
8.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器结构，其特征在于：所述接触层(14)为掺杂类型与所述衬底层(1)相反的砷化镓材料，所述接触层的厚度50～300nm。
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