[实用新型]一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构有效
| 申请号： | 201720944694.3 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN207165917U | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 韦欣;徐建人 | 申请（专利权）人： | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)33253 | 代理人： | 李伊飏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无铝高 功率 半导体 激光 器件 结构 | ||
1.一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，包括衬底层(1)以及在所述衬底层(1)由下至上依次生长的缓冲层(2)、下限制层(3)、下波导层(4)、有源层(5)、上波导层(6)、上限制层(7)和欧姆接触层(8)，其特征在于：所述下限制层(3)与所述上限制层(7)为不含铝的InGaP材料，且所述下限制层(3)与所述上限制层(7)掺杂类型相反，所述下波导层(4)与所述上波导层(6)为不含铝的InGaAsP材料，所述上限制层(7)为不含铝的InGaP材料。
2.根据权利要求1所述的无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，其特征在于：所述下限制层(3)的厚度为0.5～2.5μm，所述下限制层(3)的禁带宽度Eg3为1.82～1.92eV，所述下限制层(3)的掺杂类型与所述衬底层(1)和所述缓冲层(2)相同。
3.根据权利要求1所述的无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，其特征在于：所述上波导层(6)的厚度为0.1～0.8μm，所述上波导层(6)的禁带宽度Eg2小于1.9eV。
4.根据权利要求1所述的无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，其特征在于：所述衬底层(1)采用化合物半导体材料GaAs材料，所述衬底层(1)的厚度100～650μm，尺寸为1～6英寸。
5.根据权利要求1所述的无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，其特征在于：所述缓冲层(2)采用GaAs材料，所述缓冲层(2)的厚度为0.02～2μm。
6.根据权利要求1所述的无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，其特征在于：所述有源层(5)的禁带宽度Eg1、所述上波导层(6)的禁带宽度Eg2、所述下限制层(3)的禁带宽度Eg3满足关系式：Eg1<Eg2<Eg3。
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