[实用新型]一种探测装置起爆储能电路有效

专利信息
申请号: 201720944857.8 申请日: 2017-07-31
公开(公告)号: CN206775385U 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 江茂军 申请(专利权)人: 贵州航天电子科技有限公司
主分类号: H02M3/06 分类号: H02M3/06
代理公司: 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙)52110 代理人: 谷庆红
地址: 550009 *** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 探测 装置 起爆 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种探测装置起爆储能电路。

背景技术

探测装置中常用到起爆储能电路,但现有技术中的起爆储能电路:

①由于充电电压VIN一般都来源于电池,电池随着弹工作时间的推移,电压会逐渐下降,导致电容上的电压也会跟着下降,最终可能导致动作电压UZD电压过低而失效;

②为获得大的起爆瞬时电流,电容一般采用有极性的大容量钽电容,由于钽电容的可靠性较低,容易失效,最终影响起爆电路的可靠性。

实用新型内容

为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种探测装置起爆储能电路,该探测装置起爆储能电路通过二极管D1的设置确保储能电容上的电压不降低,同时降低由于电容失效导致起爆电路失效的概率。

本实用新型通过以下技术方案得以实现。

本实用新型提供的一种探测装置起爆储能电路;充电电压VIN后级依次串联二极管D1、电阻R、可控硅D至动作电压UZD;二极管阳极端接充电电压VIN、阴极端接电阻R;电阻R、可控硅D的连接中并联有接地的电容C。

在电阻R、可控硅D的连接中还并联有接地的电容C1。

所述二极管D1为肖特基二极管。

所述电容C和电容C1型号相同。

所述可控硅D为单向晶闸管。

所述电容C和电容C1均为钽电容。

本实用新型的有益效果在于:通过二极管D1的设置确保储能电容上的电压不降低,同时降低由于电容失效导致起爆电路失效的概率,从而有效提高了电路的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面进一步描述本实用新型的技术方案,但要求保护的范围并不局限于所述。

如图1所示的一种探测装置起爆储能电路;充电电压VIN后级依次串联二极管D1、电阻R、可控硅D至动作电压UZD;二极管阳极端接充电电压VIN、阴极端接电阻R;电阻R、可控硅D的连接中并联有接地的电容C。

在电阻R、可控硅D的连接中还并联有接地的电容C1。

所述二极管D1为肖特基二极管。

所述电容C和电容C1型号相同。

所述可控硅D为单向晶闸管。

所述电容C和电容C1均为钽电容。

由此,充电输入电压VIN经过电阻R给电容C充电,可控硅D起到闸门的作用,在电容充电期间可控硅处于关闭状态,电容充电完成后,当触发脉冲TG有效,可控硅切换为导通状态,电容通过可控硅对外放电使输出的动作电压UZD有效,在限流电阻与充电电压VIN之间串接一个二极管D1,二极管的阳极连充电输入电压VIN,阴极连限流电阻R。由于二极管具有正向导通反向截止特性,当VIN高于电容上的电压时(充电时)二极管正向导通,VIN通过电阻给电容充电,当VIN低于电容上的电压时(电池电压下降时),二极管反向截止,电容上的电压维持不变。由于二极管D1本身有压降,所以选用压降较小的肖特基二极管。

在储能电容C的位置并接一个与储能电容C型号相同的电容C1,当其中一个电容失效时,还有另一个电容保证电路的有效性。当然不局限于增加一个电容,也可增加多个电容以进一步提高电路的可靠性,但应以成本因素折中考虑。

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