[实用新型]远红外波宽频探测器有效
申请号: | 201720946007.1 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN207282510U | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 孙云飞;陶重犇;班建民;罗恒 | 申请(专利权)人: | 苏州科技大学 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01Q1/36 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 宽频 探测器 | ||
1.一种远红外波宽频探测器,包括基底层;所述基底层上设有氮化镓层;所述氮化镓层上设有源电极、漏电极、氮化铝镓层;所述氮化镓层与氮化铝镓层之间设有硫化镓层;所述氮化铝镓层位于源电极、漏电极之间;所述氮化铝镓层上设有1号天线、2号天线、3号天线、栅极;所述1号天线、2号天线、3号天线呈品字形分布;所述1号天线与2号天线结构一致,都为长方体结构;所述1号天线靠近栅极的侧面设有凹槽;所述2号天线靠近栅极的侧面设有凹槽;所述1号天线的凹槽与2号天线的凹槽相对;所述3号天线为梯形体结构;所述梯形体上表面设有凹槽。
2.根据权利要求1所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述1号天线的凹槽为贯通凹槽;所述2号天线的凹槽为贯通凹槽;所述3号天线的凹槽为贯通凹槽。
3.根据权利要求1所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述3号天线表面的凹槽为倒梯形体结构。
4.根据权利要求1所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述基底层与氮化镓层间设有金属氧物层。
5.根据权利要求4所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述金属氧化物层的厚度为260~330纳米。
6.根据权利要求1所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述硫化镓层的厚度为1.5~1.8纳米。
7.根据权利要求1所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述源电极外侧面设有焊点;所述漏电极外侧面设有焊点。
8.根据权利要求1所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述1号天线凹槽的深度为1号天线长度的5~7%,所述2号天线凹槽的深度为2号天线长度的5~7%,所述3号天线凹槽的深度为3号天线高度的15~18%;所述1号天线凹槽的宽度为1号天线宽度的5~8%,所述2号天线凹槽的宽度为2号天线宽度的5~8%,所述3号天线凹槽的最大宽度为3号天线的最小宽度,最小宽度为3号天线最小宽度的85~88%。
9.根据权利要求1所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述1号天线的凹槽为方形凹槽,所述2号天线的凹槽为方形凹槽。
10.根据权利要求1所述远红外波宽频探测器,其特征在于,所述氮化镓层的厚度为1.5~1.7微米;所述氮化铝镓层的厚度为35~40纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的