[实用新型]一种紫外LED外延芯片倒装结构

权利要求书

1.一种紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，包括：

相对设置的衬底和基板；

位于所述衬底和所述基板之间的外延层结构；

隔离层，所述隔离层垂直于所述衬底设置，贯穿所述外延层结构，并将所述外延层结构隔离成发光二极管结构与静电保护二极管结构；

其中，所述发光二极管结构的第二电极和所述静电保护二极管结构的第一电极电连接。

2.根据权利要求1所述的紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，所述发光二极管结构和所述静电保护二极管结构均包括：

第一电极、第一型电极接触层、第二电极、第二型电极接触层、所述外延层结构；

所述外延层结构包括：沿背离所述衬底的方向依次设置的缓冲层、超晶格结构、第二型导电层、有源区、第一型导电层、反射层和导电薄膜层；

所述第二型电极接触层设置在垂直于所述衬底的凹槽内，所述凹槽贯穿所述导电薄膜层、所述反射层、所述第一型导电层和所述有源区，并与所述第二型导电层接触；

所述第一电极与所述第一型电极接触层相连；

所述第二电极位于所述导电薄膜层背离所述反射层的表面。

3.根据权利要求2所述的紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，所述第一型电极接触层为P型电极接触层，所述第二型电极接触层为N型电极接触层。

4.根据权利要求3所述的紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，所述外延层结构包括依次生长在所述衬底上的AlN缓冲层、AlN/AlGaN超晶格、重掺杂N型AlGaN层、轻掺杂N型AlGaN层、电流扩展层、多量子阱有源区、P型AlGaN电子阻挡层和P型GaN接触层，其中，所述重掺杂N型AlGaN层与所述N型电极接触层接触。

5.根据权利要求4所述的紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，所述P型AlGaN电子阻挡层和所述P型GaN接触层之间还设置有P型能量调节层。

6.根据权利要求5所述的紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，所述P型能量调节层为铝组分为50％的AlGaN层。

7.根据权利要求2所述的紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，所述凹槽的侧壁上背离所述隔离层的一侧设置有钝化绝缘层。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，所述基板包括：

底座，位于所述底座上依次层叠的导电银浆、AlN层和金属布线层；

其中，所述金属布线层为图形化结构，包括第一金属布线层和第二金属布线层；

所述第一金属布线层与所述第一电极相连，所述第二金属布线层与所述第二电极相连。

9.根据权利要求1所述的紫外LED外延芯片倒装结构，其特征在于，所述衬底为微型纳米图形化蓝宝石衬底。