[实用新型]一种碳化硅高功率负载

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高功率负载，具体来说是涉及一种碳化硅高功率负载。

背景技术

高功率负载作为一种功率器件在通讯、信号处理、雷达等各种通信系统中具有广泛用途，以往负载选用的吸收材料主要为单晶硅，而单晶硅功率器件的阻抗电压和相关性能，已接近单晶硅功率器件的材料特性理论极限，依靠单晶硅器件提高功率器件与系统性能的潜力已十分有限。

然而，碳化硅高功率负载由于碳化硅高功率负载电讯机理的特殊性，结构实现比较困难，主要表现在其制造工艺难度大、器件成品率低、成本高昂，影响了其普遍应用。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述所存在的缺陷，提供一种高精度、高可靠性的碳化硅高功率负载。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种碳化硅高功率负载，其特征在于，包括负载腔体，所述负载腔体由负载导体、以及设在负载导体两侧的上负载波导和下负载波导组成，所述负载导体与上负载波导和下负载波导之间均设有负载腔环，在所述负载腔环内嵌设碳化硅，所述负载腔体的上端和下端均设有环形散热板，所述负载腔体的一端开口处设有端板。

作为优选的技术方案，在所述负载腔环及端板的内壁面均设有镀铝层，所述镀铝层的厚度为8um～10um。

作为优选的技术方案，所述散热板与负载腔体的连接端设有防水密封圈。

作为优选的技术方案，所述端板的内壁面上设有4～6个定位槽。

本实用新型的有益效果为：结构精度更高、散热效果显著，且结构设计更加合理、成本较低、市场应用面较广。

附图说明

图1为本实用新型一种碳化硅高功率负载的结构示意图。

图中：1-负载腔体、2-负载导体、3-上负载波导、4-下负载波导、5-负载腔环、6-碳化硅、7-散热板、8-端板、9-镀铝层、10-防水密封圈、11-定位槽、12-绝缘子。

具体实施方式

为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：

如图1所示，一种碳化硅高功率负载，包括负载腔体1，负载腔体1由负载导体2、以及设在负载导体2两侧的上负载波导3和下负载波导4组成，负载导体2与上负载波导3和下负载波导4之间均设有负载腔环5，在负载腔环5内嵌设碳化硅6，负载腔体1的上端和下端均设有环形散热板7，负载腔体1的一端开口处设有端板8。

在本实施例中，在负载腔环5及端板8的内壁面均设有镀铝层9，镀铝层9的厚度为8um～10um。

在本实施例中，散热板7与负载腔体1的连接端设有防水密封圈10。

在本实施例中，端板8的内壁面上设有4～6个定位槽11。

在本实施例中，碳化硅6为硬脆性材料，在嵌入负载腔环5时需先进行预热处理，预热方法是放入箱式电阻炉450℃保温2小时，嵌入时保证碳化硅6温度为:450±20℃，负载腔体1的一端开口处通过端板8密封，另一端端面内侧设有绝缘子12；密封结构精度更高、散热效果显著，且结构设计更加合理、成本较低、市场应用面较广。

综上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围，凡依本实用新型权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本实用新型的权利要求范围内。