[实用新型]一种屏蔽栅极半导体组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体组件技术领域，具体为一种屏蔽栅极半导体组件。

背景技术

现有技术中：授权公布号为CN 20621080 U的专利公开了一种屏蔽栅极半导体组件，包括：具有第一导电性类型并且具有第一和第二主表面的半导体材料，从第一导电性类型的半导体材料形成的多个台面结构，所述多个台面结构当中的第一台面结构具有第一宽度并且所述多个台面结构当中的第二台面结构具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度，从所述多个台面结构当中的第一台面结构和第一沟槽的一部分形成的屏蔽栅极半导体器件，其中所述屏蔽栅极半导体器件包括处于第一台面结构与第二台面结构之间的第一屏蔽栅极结构，所述多个台面结构当中的第二台面结构中的第一箝位结构；以及邻近第二台面结构的第一屏蔽结构，其不具备防护措施，半导体组件在长期高温作用下性能会降低，从而影响其使用寿命，同时，其接触件更换或维护不便，不能满足使用需求。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种屏蔽栅极半导体组件，具有防护能力，大大增加了其使用寿命，其接触件维护或更换方便，能够满足使用需求，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种屏蔽栅极半导体组件，包括半导体组件本体，所述半导体组件本体的侧面设有导热装置，半导体组件本体的一端通过第一连接机构连接有第一接触件，所述半导体组件本体的另一端通过第二连接机构连接有第二接触件。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述导热装置包括导热片和散热装置，导热片和散热装置均均匀分布在半导体组件本体的端部侧面。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述散热装置包括散热凹槽，散热凹槽开设在半导体组件本体的侧面，所述散热凹槽的内部均匀设有散热孔。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第一连接机构包括第一卡扣，第一卡扣固定在第一接触件的端部，所述半导体组件本体对应第一卡扣的位置开设有第一卡槽，第一卡扣与第一卡槽扣接。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第二连接机构包括第二卡扣，第二卡扣固定在第二接触件的端部，所述半导体组件本体对应第二卡扣的位置开设有第二卡槽，第二卡扣与第二卡槽扣接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本屏蔽栅极半导体组件，通过导热装置对该半导体组件进行防护，避免该半导体组件长期在高温作用下而导致性能下降，大大增加了该半导体组件的使用寿命，通过便于拆卸和安装的连接机构对接触件进行组装，方便其进行维护或更换。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型侧面结构示意图。

图中：1半导体组件本体、2导热片、3导热装置、4散热孔、5散热凹槽、6第一接触件、7第一卡扣、8第一卡槽、9散热装置、10第一连接机构、11第二接触件、12第二卡扣、13第二卡槽、14第二连接机构。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种屏蔽栅极半导体组件，包括半导体组件本体1，半导体组件本体1的侧面设有导热装置3，半导体组件本体1的一端通过第一连接机构10连接有第一接触件6，半导体组件本体1的另一端通过第二连接机构14连接有第二接触件11；

导热装置3包括导热片2和散热装置9，导热片2和散热装置9均均匀分布在半导体组件本体1的端部侧面，半导体组件本体1产生的热量通过导热片2进行排出；

散热装置9包括散热凹槽5，散热凹槽5开设在半导体组件本体1的侧面，散热凹槽5的内部均匀设有散热孔4，半导体组件本体1产生的热量通过散热凹槽5内的散热孔4进行排出，避免该半导体组件长期在高温作用下而导致性能下降，大大增加了该半导体组件的使用寿命；

第一连接机构10包括第一卡扣7，第一卡扣7固定在第一接触件6的端部，半导体组件本体1对应第一卡扣7的位置开设有第一卡槽8，第一卡扣7与第一卡槽8扣接，第一接触件6通过第一卡扣7与第一卡槽8卡接来与半导体组件本体1进行组装，方便其进行维护或更换；