[实用新型]一种整流二极管芯片结构有效
| 申请号： | 201720959366.0 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN206961835U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王民安;黄富强;汪杏娟;郑春鸣;叶民强;黄永辉;王志亮;王日新 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)44240 | 代理人： | 叶绿林,杨大庆 |
| 地址： | 245000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 整流二极管 芯片 结构 | ||
1.一种整流二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N上表面的掺浓磷扩散层N+，设置在长基区N下表面的掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；其特征在于：所述掺淡硼扩散层P向长基区N扩散设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方且电压槽的底部经过P型凸台；所述P型凸台的宽度大于电压槽底部的宽度。
2.如权利要求1所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述电压槽位于整流二极管芯片的四周且为单边槽结构，所述P型凸台沿整流二极管芯片的四周设置有一圈从而形成一圈凸棱。
3.如权利要求1所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述P型凸台的下方设置有至少一圈盲孔，盲孔的深度与P型凸台的高度相适配。
4.如权利要求3所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述盲孔为激光孔或刻蚀孔。
5.如权利要求3所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述盲孔设置有两圈或三圈，相邻两圈盲孔间的距离为100～160um。
6.如权利要求3所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述凸台的高度大于50um，盲孔的直径为60～100um，同一圈中相邻两盲孔的距离为40～120um。
7.如权利要求1所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述P型凸台的下方设置有一圈刻蚀槽，刻蚀槽的深度与P型凸台的高度相适配。
8.如权利要求1至7任意一项所述的整流二极管芯片结构，其特征在于：所述电压槽斜边的长度大于N型基区的厚度。
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