[实用新型]一种过滤网套件及互连结构沟槽刻蚀设备有效
申请号: | 201720963582.2 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN207134333U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 袁鹏华;许文泽 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 过滤网 套件 互连 结构 沟槽 刻蚀 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路制造技术领域,尤其涉及一种适用于互连结构沟槽刻蚀设备的过滤网套件及互连结构沟槽刻蚀设备。
背景技术
目前由TEL(日本东电电子)推出的型号为VIGUS(制程腔体型号)的刻蚀机台是一体化的互连结构沟槽刻蚀设备,互连结构沟槽刻蚀设备包括反应腔和与反应腔连通的分子泵,在生产过程中,反应腔的上部加热控温在150度,反应腔的下部的分子泵上没有加热装置。在半导体制造过程中,有三道复杂的制程(开孔、去胶、刻槽)在同一个反应腔内完成,会产生多种副产物,其中包括氮化钛。在使用分子泵抽取副产物时,部分副产物随着温度的下降会粘附在腔体下部的侧壁和角落,难以通过分子泵完全排出反应腔;另外过滤网上也会粘附大量的副产物,并形成毛刺样实起,有时毛刺会掉落进入分子泵,导致高速运转的分子泵叶片撞击并损坏分子泵。
发明内容
根据现有技术中存在的上述问题,现提供一种通过对金属过滤网加热,避免工艺反应的副产物在过滤网上沉积并进入分子泵使分子泵损坏,延长分子泵的使用寿命的过滤网套件及互连结构沟槽刻蚀设备。本实用新型采用如下技术方案:
一种过滤网套件,适用于互连结构沟槽刻蚀设备,所述互连结构沟槽刻蚀设备包括反应腔和与所述反应腔连接的压力控制阀,所述过滤网套件设置于所述反应腔与所述压力控制阀之间,所述过滤网套件包括:
连接件,为环形结构,设置于所述反应腔与所述压力控制阀之间;
线圏,围绕所述连接件的外侧壁设置,所述线圈用以连接交流电;
金属过滤网,设置于所述连接件内,所述金属过滤网平行于所述压力控制阀的输入端口。
较佳的,上述过滤网套件中,所述连接件由陶瓷制成。
较佳的,上述过滤网套件中,所述连接件的内侧壁上设置有一环形的台阶;
所述金属过滤网设置于所述台阶上。
较佳的,上述过滤网套件中,所述连接件与所述反应腔的端面之间设置有密封圈。
较佳的,上述过滤网套件中,所述连接件朝向所述反应腔的端面上设置有一环形的凹槽;
所述密封圈设置于所述凹槽内。
较佳的,上述过滤网套件中,所述连接件通过螺栓固定在所述压力控制阀上。
还包括,一种互连结构沟槽刻蚀设备,其中,包括上述任一所述的过滤网套件。
上述技术方案的有益效果是:通过涡流加热原理对金属过滤网加热,避免工艺反应的副产物在过滤网上沉积并进入分子泵使分子泵损坏,延长分子泵的使用寿命;同时使得反应腔下部具有较高的温度,避免副产物在反应腔的下部沉积。
附图说明
图1是本实用新型的较佳的实施例中,互连结构沟槽刻蚀设备的抽真空装置的结构示意图;
图2是本实用新型的较佳的实施例中,一种过滤网套件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明,但不作为本实用新型的限定。
如图1所示,为本实施例中,互连结构沟槽刻蚀设备的抽真空装置,用于在反应前后对互连结构沟槽刻蚀设备的反应腔8进行抽真空,排除反应腔8室内的副产物。抽真空装置包括分子泵1、压力控制阀2,分子泵1与互连结构沟槽刻蚀设备的反应腔8连通,用于对反应腔8抽真空,压力控制阀2设置于分子泵1和反应腔8之间,用于调节抽真空过程中反应腔8内的压力。为避免抽真空过程中反应腔8内体积较大的物体进行分子泵1内损坏分子泵1,需要在压力控制阀2连通反应腔8的端口(输入端口)上设置过滤装置。进一步地,为保证抽真空装置的密封性,于压力控制阀2接触反应腔的端面上,以及于分子泵1接触压力控制阀2的端面上设置密封圈。
本实用新型的较佳的实施例中,如图1和图2所示,提供一种过滤网套件,适用于上述的互连结构沟槽刻蚀设备中,过滤网套件设置于反应腔8与压力控制阀2之间,进一步地,过滤网套件设置于压力控制阀2的输入端口上,过滤网套件包括:
连接件3,为环形结构,设置于压力控制阀2的输入端口上;
线圏4,围绕连接件3的外侧壁设置,线圈4通交流电;
金属过滤网5,设置于连接件4内,金属过滤网5平行于压力控制阀2的输入端口。
本实用新型的较佳的实施例中,连接件3由陶瓷制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造