[实用新型]一种抗PID设备有效
申请号: | 201720974691.4 | 申请日: | 2017-08-07 |
公开(公告)号: | CN207097837U | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 崔红星 | 申请(专利权)人: | 九江盛朝欣业科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 | 代理人: | 王珂 |
地址: | 332000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pid 设备 | ||
1.一种抗PID设备,其特征在于,包括臭氧发生器(1)和箱体(2),所述箱体(2)内部从上至下依次设有臭氧喷淋器(3)、导流板(4)和硅片传送装置(5),所述臭氧喷淋器(3)与所述臭氧发生器(1)连接,所述箱体(2)下部设有臭氧排放管路(8),所述导流板(4)形状为向上凸起的弓形。
2.根据权利要求1所述的一种抗PID设备,其特征在于,所述排放管路(8)上设有风机(9)。
3.根据权利要求1所述的一种抗PID设备,其特征在于,所述排放管路(8)包括与所述箱体(2)底部连接的若干条支路以及与所述若干条支路底部均连接的主路。
4.根据权利要求1所述的一种抗PID设备,其特征在于,所述箱体(2)上开设有与所述硅片传送装置相配合的硅片进口(6)和硅片出口(7)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的