[实用新型]气体分配组件

说明书

本实用新型公开了一种气体分配组件。气体分配组件可以包括输出面和至少一个传感器，所述输出面具有用于引导气流的多个细长的气体端口，所述至少一个传感器经定位以在测量期间接触基座组件。

本申请是PCT国际申请号为PCT/US2015/026429、国际申请日为2015年4月17日、进入中国国家阶段的申请号为201590000446.2，题为“基板处理腔室”的实用新型申请的分案申请。

技术领域

本公开的实施方式总体涉及一种用于处理基板的装置。具体来说，本公开的实施方式涉及用于在处理之前、期间和/或之后测量基板的温度和其他参数的装置。

背景技术

形成半导体器件的工艺常常在包含有多个腔室的基板处理平台中进行。在一些实例中，多腔室式处理平台或群集工具用于在受控环境中、顺序地对基板执行一个或多个工艺。在其他实例中，多腔室式处理平台可以对基板执行单个处理步骤；附加的腔室用于使平台处理基板的速率最大化。在后一种情况下，对基板执行的工艺通常是批量工艺，其中同时在给定的腔室中处理相对大量的(例如，25个或50个)基板。批量处理对于以经济上可行的方式对多个单独的基板执行起来过于耗时的工艺(诸如，ALD工艺和一些化学气相沉积(CVD)工艺)是尤其有益的。

基板处理平台或系统的有效性通常由拥有成本(COO)来量化。COO虽然受到许多因素影响，但是在很大程度上受系统占地面积(即，在制造工厂中用于运行系统的总占地面积)和系统产量(即，每小时经处理的基板的数量)的影响。占地面积通常包括邻近于系统的、用于维护的接取区域。因此，虽然基板处理平台可能是相对小的，但是如果系统需要从所有侧进行接取来进行操作和维护，那么系统的有效占地面积仍会不可抑制地大。

半导体行业对工艺波动的耐受度随着半导体器件的尺寸收缩而继续减小。为了满足这些更严格的工艺要求，行业已开发出通常花费更长时间来完成的一系列新工艺。例如，对于将铜扩散阻挡层适形地形成到高深宽比、65nm或更小的互连特征的表面上，使用ALD工艺可以是有用的。ALD是CVD的变型，表现出相比CVD优越的阶梯覆盖。ALD基于最初用来制造电致发光显示器的原子层外延(ALE)。ALD采用化学吸附来将反应性前体分子的饱和单层沉积在基板表面上。这通过循环地交替适当的反应性前体至沉积腔室的脉动来实现。反应性前体或反应气体的每一次注入通常通过惰性净化气体分开，以便将新原子层提供到先前沉积的层，从而在基板表面上形成均匀的材料层。重复反应性前体和惰性净化气体的循环，以便形成达到预定厚度的材料层。ALD技术的最大缺点在于，沉积速率比典型CVD技术远远低了至少一个量级。例如，一些ALD工艺可能需要从约10分钟至约200分钟的腔室处理时间，以便在基板表面上沉积高质量层。在为实现更好的器件性能而选择此类ALD和外延工艺的情况下，在常规的单个基板处理腔室中制造器件的成本将由于非常低的基板处理产量而增大。因此，当实现此类工艺时，需要经济上可行的连续的基板处理方法。

评估沉积工艺动态地提供用于确定所沉积的膜的质量和工艺的完成度的快速且准确的手段。然而，在转盘型的处理腔室中对晶片的光学测量(例如，温度、膜特性)无法在处理的同时执行。在沉积期间将光学器件(例如，高温计)定位在处理腔室中可能是有问题的，因为光学仪器被沉积反应污染，从而使它们不适合使用。

由于气体分配组件与基座组件之间的距离，测量批量处理系统中的大压板基座的温度可能也是困难的。因此，需要能够准确地测量基座温度而不干扰处理腔室功能的装置和方法。

实用新型内容

本公开的实施方式涉及一种气体分配组件，包括输出面和至少一个传感器，所述输出面具有用于引导气流的多个细长的气体端口，所述至少一个传感器经定位以在测量期间接触基座组件。