[实用新型]非对称波浪形三维结构太阳能硅片及太阳能电池有效
申请号: | 201720975351.3 | 申请日: | 2017-08-07 |
公开(公告)号: | CN206947358U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 万明 | 申请(专利权)人: | 苏州赛万玉山智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32297 | 代理人: | 陆明耀 |
地址: | 215311 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对称 波浪形 三维 结构 太阳能 硅片 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其是非对称波浪形三维结构太阳能硅片及太阳能电池。
背景技术
太阳能硅片是太阳能电池板的重要组成部分,其性能的好坏直接影响太阳能电池板的电池效率,目前常规的太阳能硅片基本都是切割成平坦表面的切片形状,其光电转化率的提高已经成为太阳能电池制作领域的难题,即使是1%左右的提高,过去平均都需要2-3年的时间,并且为了获得高转化率,向新工程所投入的研究开发费用从全世界范围来看,现有所有太阳能电池制造公司在互相竞争中开发所以费用简直是天文数字。
由此一些企业也开始三维结构太阳能硅片的研究,例如,已经提出的如附图1所示的波浪形三维硅片结构,其为对称的波浪形结构,其虽然能够增加表面积以增加太阳光的吸收,但是其在应用于太阳能电池的加工过程中还存在一定,例如:
其虽然增加了表面积,理论上应该增加光吸收,但是由于在后期制绒过程中,波峰和波谷的斜面上会形成不均匀的棱锥现象,从而导致光电转换效率的增加实际效果不明显的问题。
同时,由于切割时,太阳能硅片的首末两端均为曲线切割,切割时,切割线的切入位置不垂直于切割面,造成切割力的不均匀分布,易出现毛刺、崩边的情况,影响太阳能硅片的质量,极易导致在后续加工过程中出现的硅片破损。
实用新型内容
本实用新型的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提供非对称波浪形三维结构太阳能硅片及太阳能电池。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:
非对称波浪形三维结构太阳能硅片,包括硅片本体,所述硅片本体至少包括一组一体成形且重复的波形分段,每个波形分段包括一体的从波谷到波峰的第一曲形部分以及从波峰到波谷的第二曲形部分,所述第一曲形部分和第二曲形部分非镜像对称,且波形分段的波峰在波谷所在面的投影点到其两个波谷的距离不相等。
优选的,所述的三维结构太阳能硅片,其中:所述硅片本体的首部和/或尾部为平面结构。
优选的,所述的三维结构太阳能硅片,其中:所述硅片本体的表面为金字塔状绒面。
优选的,所述的三维结构太阳能硅片,其中:所述波形分段的波峰在波谷所在面的投影点到其两个波谷的距离中较大的一个与波高h的比值大于1:1。
优选的,所述的三维结构太阳能硅片,其中:所述第一曲形部分的延伸长度大于或小于所述第二曲形部分的延伸长度。
优选的,所述的三维结构太阳能硅片,其中:所述太阳能硅片为单晶硅硅片或多晶硅硅片或III-V族化合物单晶硅片或III-V族化合物多晶硅片。
太阳能电池,包括上述任一的非对称波浪形三维结构太阳能硅片。
本实用新型技术方案的优点主要体现在:
本实用新型设计精巧,结构简单,非对称的波浪形三维结构,相对于平面结构的太阳能硅片,具有更大的表面积,同时,相对于对称波浪形的太阳能硅片,能够有效的减少制绒后不对称棱锥现象的产生,减小不对称的棱锥现象对光线吸收的影响,从而使光线能够在凹槽区域内发生多次反射以增加光照的吸收转化。
由于三维结构太阳能硅片的首末两端均为平面形状,因此能够有效的避免弯曲形状的首末端易出现毛刺、崩边的问题,有利于防止后续加工过程中硅片的破损,同时两端的平面结构为指状太阳能电极的布置提供了充足的空间,避免了全波浪形三维结构中电极需要跨越相邻波谷和波峰易出现断裂及不均匀的问题,为后续加工提供了极大的便利性,有利于提高加工效率。
通过对纵深比的设置,使得本专利的三维结构太阳能硅片具有更加稳定的机械结构。
附图说明
图1 是背景技术中波浪形结构的太阳能硅片的截面示意图;
图2是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型的目的、优点和特点,将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本实用新型技术方案的典型范例,凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案,均落在本实用新型要求保护的范围之内。
本实用新型揭示了非对称波浪形三维结构太阳能硅片,如附图2所示,包括硅片本体1,所述硅片本体1至少包括一组一体成形且重复的波形分段11,每个波形分段11包括一体的从波谷到波峰的第一曲形部分12以及从波峰到波谷的第二曲形部分13,所述第一曲形部分12和第二曲形部分13非镜像对称,且波形分段11的波峰在波谷所在面的投影点到波形分段11的两个波谷的距离S1,S2不相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的