[实用新型]一种清洗系统及手提式清洗装置有效

专利信息
申请号: 201720977193.5 申请日: 2017-08-07
公开(公告)号: CN207494152U 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 张明 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: B08B9/032 分类号: B08B9/032
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 气体管道 液体箱 清洗系统 清洗装置 液体管道 出气口 出水口 气体泵 入水口 拆卸 清洗 进气口 半导体制造设备 本实用新型 进气口连接 额外提供 清洗槽 箱中 费力 抽出 应用
【说明书】:

本实用新型提供了一种清洗系统以及手提式清洗装置,应用于半导体制造设备的气体管道中,气体管道包括进气口以及出气口;其中,包括:液体箱,液体箱设置有一出水口以及入水口;气体泵,一端通过一液体管道与出水口连接,另一端与气体管道的进气口连接,出气口通过一液体管道与入水口连接;气体泵用以将液体箱箱中的液体抽出至气体管道,并回流至液体箱。其技术方案的有益效果在于,克服了现有技术中对对气体管道进行清洗时,需要拆卸管道存在的操作不便,以及对拆卸的管道需要额外提供容积庞大的清洗槽进行清洗费时费力的缺陷。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造设备技术领域,尤其涉及一种用于半导体制造设备气体管路的清洗系统及手提式清洗装置。

背景技术

在半导体器件的制备过程中,往往会涉及一些需要气体参与反应的工艺,例如刻蚀工艺中的,三氟化硼(BF3)作为等离子刻蚀气体,NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻气体等,还包括化学气象沉积工艺,其主要利用挥发性化合物,通过气相化学反应淀积某种单质和化合物的一种方法,即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类,使用的化学气相淀积(CVD)气体也不同,锗烷(GeH4)气体等,如硅烷(SiH4)+氢等,而在反应中气体则是通过半导体设备中的气体管道输出,随着机台的逐渐老化,气体管道污染带来的问题越来越多,污染物大部分是易于被氧化的气体由于微漏或是原始气体供应不纯产生的氧化物附着在气体管道的管壁上,化学气相沉积机台大多数的气体管路中的氧化物为SIO2易溶入水,对于管路中出现的污染,现有的做法是对污染的全部气体管道通过拆装进行清洗或是换新,但是一般管气体管道难于拆装,而在清洗时需要提供容积非常庞大的清洗槽,清洗非常不便。

发明内容

针对现有技术中在去除气体管道中的污染物存在的上述问题,现提供一种方便对气体管路中的污染物进行去除,且操作简单的清洗系统及手提式清洗装置。

具体技术方案如下:

一种清洗系统,应用于半导体制造设备的气体管道中,所述气体管道包括进气口以及出气口;其中,包括:

液体箱,所述液体箱设置有一出水口以及入水口;

气体泵,一端通过一液体管道与所述出水口连接,另一端与所述气体管道的所述进气口连接,所述出气口通过一液体管道与所述入水口连接;

所述气体泵用以将所述液体箱箱中的液体抽出至所述气体管道,并回流至所述液体箱。

优选的,还包括一过滤器,所述过滤器通过液体管道连接与所述气体泵以及所述进气口之间。

优选的,所述液体箱中存储的液体为水。

优选的,所述进气口设置有第一密封接头;

所述液体管道与所述进气口连接的一端设置有与所述第一密封接头适配的所述第二密封接头。

优选的,所述出气口设置有第一密封接头;

所述液体管道与所述出气口连接的一端设置有与所述第一密封接头适配的所述第二密封接头。

优选的,所述第一密封接头与所述第二密封接头为VCR接头。

优选的,所述第一密封接头以及所述第二密封接头由塑料材质制成。

还包括一种手提式清洗装置,包括上述的清洗系统,其中,包括:

箱体本体,所述箱体本体内设置有一容置空间;

所述液体箱固定设置于所述容置空间的底部;

第一通孔,设置于所述箱体本体的侧壁并对应所述进水口的位置;

所述气体泵固定设置于所述容置空间的底部,并位于所述液体箱的一侧;

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