[实用新型]一种高稳恒温晶体振荡器

说明书

技术领域

本实用新型涉及设备电路领域，尤其涉及一种高稳恒温晶体振荡器。

背景技术

随着时代的进步,计量的准确性在军事、航天、通信和计量等方面越来越重要。计量的精度需要基准频率源的支持,因此提高其精准度、稳定度成为当今对基准频率源研究的热点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高稳恒温晶体振荡器，以解决上述技术问题，为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案：

一种高稳恒温晶体振荡器，晶体振荡器内置高稳恒温晶体振荡电路和控温制电路，控温制电路为高稳恒温晶体振荡电路提供恒温运行环境。

在上述技术方案基础上，所述高稳恒温晶体振荡电路中电源VCC经电阻R9接电阻R1，同时电阻R1两端并联热敏电阻RT，电源VCC分别经电容C12、电容C15、电容C16及电容C19，电源VCC经二极管D3和二极管D4接地，电阻R9经二极管D2和电容C1接地，电阻R1经电阻RX接电阻R3，电阻R3接地，电阻RX经电阻R2接电容C2，电容C2经晶振Y1接晶体管T1的基极，电阻R2经二极管D2接电容C4，电容C4接地，在二极管D1两端并联电容C3，电容C4两端并联电阻R4，电阻R2经电容C5接地，电容C5两端并联电容C6，电阻R9经电阻R5接电容C7，电容C7经电感L2接地电容C8，电容C8接地，电感L2的两端并联电容C20，电容C8两端并联电容C21，同时电容C21两端并联电阻R8，电阻R9经电阻R6接晶体管T1的集电极，同时在电阻R6的两端并联电感L1，电阻R9经电容C9接电容C10，电容C10接晶体管T1的集电极，电容C9经电容C11接电阻R11，电阻R11接晶体管T2的基极，晶体管T1的发射极经电阻R7接电容C20，电容C20经电容C21接地，电源VCC经电阻R10接电阻R12，电阻R12接地，电源经电阻R13接晶体管T2的集电极，电阻R13的两端并联电感L3，电容C13和电容C14串联后并联在电阻R13两端，电容C13经电阻R16接晶体管T3的基极，晶体管T2的发射极分别经电容C22和电阻R14接地，电源VCC经电阻R15接电阻R17，电阻R17接地，电源VCC经电阻R18接晶体管T3的集电极，电阻R18的两端并联电感L4，电容C17和电容C18串联后并联在电阻R18的两端，电容C17经电阻R20接运算放大器IC的7端口，晶体管T3的发射极分别经电容C23和电阻R19接地，电源VCC接运算放大器IC的8端口，运算放大器IC的4端口接地，运算放大器IC的输出端经电阻R21接电路输出端。

在上述技术方案基础上，所述控温电路中+12V电源经电阻R6接热敏电阻RT，电阻R6经二极管D1接地，热敏电阻RT经电阻R3接运算放大器IC0的2端口，热敏电阻RT经电阻RX接地，电阻R6经电阻R1接电阻R2，电阻R2接地，电阻R1经电阻R4接运算放大器IC0的3端口，电阻R4接电容C1，电容C1分别经电容C2和电阻R5接电容C3，电容C3接地，电阻R3分别经二极管D1和二极管D2接电阻R4，运算放大器IC0的输出端经电阻R7接晶体管T0的基极，电阻R7经电容C4接地，电阻R7分别经电容C5和电阻R9接地，+12V电源经电阻R8接晶体管T0的集电极，晶体管T0的发射极接地。

在上述技术方案基础上，所述运算放大器IC采用LM224J型运算放大器，运算放大器IC0均采用LM308型运算放大器。

本实用新型设计的高稳恒温晶体振荡器调节范围大，从而适用范围广，从而提高了使用者的工作效率，通过控温电路控制恒温，从而利于高稳恒温晶体振荡器恒温稳定运行，提高电路运行稳定性，降低老化率，同时控温电路内置零点漂移，提高控温电路整体性能，方便使用者操作。

附图说明

图1为本实用新型的高稳恒温晶体振荡电路图。

图2为本实用新型的控温电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细阐述。

一种高稳恒温晶体振荡器，晶体振荡器内置高稳恒温晶体振荡电路和控温制电路，控温制电路为高稳恒温晶体振荡电路提供恒温运行环境。