[实用新型]一种高清晰度计算机显示装置有效
申请号: | 201720983482.6 | 申请日: | 2017-08-08 |
公开(公告)号: | CN207068856U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 章功干 | 申请(专利权)人: | 淮南师范学院 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 南京知识律师事务所32207 | 代理人: | 高桂珍 |
地址: | 23203*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清晰度 计算机 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及计算机设备技术领域,具体为一种高清晰度计算机显示装置。
背景技术
目前使用最多的计算机显示装置是液晶显示器。虽然常见的液晶显示器取代阴极射线显示获得了巨大的成功,但是仍然存在很多问题,主要表现在:(1)清晰度低,普通的计算机液晶显示器的PPI在200 以下,靠近屏蔽观察时,网格效应明显。(2)显示视角小,由于大部分液晶显示的原理依靠液晶分子的各向异性,对不同的入射光,反射率不一样,所以视角较小,只有30—40度。随着视角的变大,液晶显示器的对比度迅速变坏。(3)响应速度慢液晶显示大多是依靠在外加电场作用下,液晶分子的排列发生变化,所以响应速度受材料的粘滞度影响很大。响应速度一般为100-200ms,温度越低响应速度越慢,动态图像质量差。(4)对比度差,由于液晶是非主动发光,导致暗时看不清楚,显示的对比度较差。与液晶显示相比,有机电致发光显示具备技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,基于有机电致发光显示的计算机显示装置的开发具有重要的实际意义。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种清晰度高、响应速度快、显示效果好的计算机显示装置。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高清晰度计算机显示装置,包括基板、形成于所述基板上的薄膜晶体管层、形成于所述薄膜晶体管层上的像素发光层和薄膜封装层、设于所述像素发光层上方并与所述基板相贴合的透明玻璃盖板、及形成于所述盖板内侧的色彩形成层组成;所述的玻璃盖板与基板用围堰胶相连,所述像素发光层包括由下至上依次层叠设置的像素阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、光场调节层、橙光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和耦合层。
优选的,像素阳极的一个像素有四个子像素,其四个子像素排列方式按照红、绿、蓝、白顺时针排布,像素形状为正方形。
优选的,子像素大小完全相同,所述的子像素之间的间隔不大于 1微米,所述子像素的正方形的边长小于3um。
优选的,所述的薄膜封装层用原子层沉积工艺制备Al2O3致密介质膜层和涂覆形成的聚对二甲苯层多层交替结构。
优选的,所述的色彩形成层图案与像素阳极图案完全相同并且一一对应,色彩形成层的一个像素,包含四个子像素,分别为红光子像素R、绿光子像素G、蓝光子像素层B和白光子像素W。
优选的,所述的像素阳极为不透光的反射型阳极,其包括两导电氧化物层、及夹于两导电氧化物层之间的一层反射金属层,其中,所述反射金属层的膜厚为50-200nm;所述导电氧化物层的膜厚为10-50 nm。所述阴极透明阴极;所述阴极的材料为低功函数金属Al或者Ag、或低功函数金属的合金,膜厚为10-20nm;所述空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、光场调节层、橙光发光层、电子传输层、电子注入层、耦合层均为有机层,有机层的总厚度小于200nm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:(1)本实用新型通过像素结构的设计,可以大幅提高计算机显示装置的清晰度,当设置像素小于10um时,显示装置的PPI可以达到2000以上。(2)本实用新型的彩色化采用RGBW四子像素的布局,彩色化的实现可以通过 RGBW、RGB、RGW、GBW四种方式,即使一种颜色的显示出现问题,也不会影响显示装置的正常工作,从而可以有效提高色彩显示质量和装置的使用寿命。(3)本实用新型的显示装置,总厚度可以实现微米量级,有利于降低器件的制作成本,并推进显示装置的薄型化、轻量化、窄边框化。
附图说明
图1为本实用新型的显示装置结构示意图;
图2为本实用新型的像素发光层结构示意图;
图3为本实用新型的显示装置彩色形成层的像素布局示意图。
图中:1、基板,2、薄膜晶体管,3、像素发光层,4、薄膜封装层,5、透明玻璃盖板,51、色彩形成层,6、围堰胶,31、像素阳极, 32、空穴注入层,33、空穴传输层,34、蓝光发光层,35、光场调节层,36、橙光发光层,37、电子传输层,38、电子注入层,39、阴极层,30、耦合层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的