[实用新型]小型化高增益双极化全向天线

权利要求书

1.一种小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，其包括V极化天线、H极化组阵天线、H极化子阵馈电板，

该V极化天线包括M个设在V极化天线基板上的半波振子以及连接半波振子的V极化天线馈线，

该H极化组阵天线包括N个平行排列组阵的H极化阵列单元，该H极化阵列单元包括介质圆盘，在介质圆盘的圆周上设有X个H极化振子，以及连接该H极化振子的H极化天线馈线，

该H极化子阵馈电板对该H极化阵列单元进行馈电，

该V极化天线平行设置在该H极化子阵馈电板的外侧，该H极化阵列单元与该H极化子阵馈电板、该V极化天线相交设置，

其中M、N、X为大于等于1的自然数。

2.如权利要求1所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，该V极化天线包括五单元半波振子组成的阵列，每个半波振子包括分别印制在V极化天线基板上下两面的U形对称上臂和下臂。

3.如权利要求2所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，该H极化组阵天线包括六个等距共轴的所述H极化阵列单元组成的阵列，六单元阵列分成上下两个三单元子阵，两个上下三单元子阵分别采用H极化子阵馈电板馈电，两个H极化子阵馈电板竖直共面放置，分别与两个上下三单元子阵的H极化阵列单元垂直相交。

4.如权利要求1～3任一项所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，该H极化振子为圆弧振子或折线振子或直线振子或曲线振子，数量X的取值范围为3～6。

5.如权利要求1～3任一项所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，该介质圆盘直径取值范围为0.35λ_C～0.75λ_C，其中λ_C为中心波长。

6.如权利要求1～3任一项所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，每个半波振子总长度为0.3λ_C～0.5λ_C，其中λ_C为中心波长，该V极化天线的半波振子的宽长比为0.15～0.35。

7.如权利要求1～3任一项所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，该V极化天线馈线为平行双导体馈线，顺着阵列方向设置，包括级联的多节不等长宽的变换段，该H极化天线馈线采用平行双导线馈电，平行双导线从介质圆盘的圆心沿直径方向延伸至每对H极化振子中心，包括级联的多节不等宽的导体段，该H极化子阵馈电板包括馈电板介质基板，电板介质基板上设有馈电板平行双导线，该馈电板平行双导线包括级联的多节不等长宽的变换段。

8.如权利要求7所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，在H极化天线馈线的第二、第三节导体段的连接处设置有横向短路枝节，该横向短路枝节的末端为金属化过孔，相邻两横向短路枝节方向相反，该横向短路枝节的宽长比为0.01～0.05。

9.如权利要求7所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，该H极化子阵馈电板与该H极化组阵天线中心轴线距离D_s，并位于无横向短路枝节的一侧，该V极化天线距离H极化组阵天线的中心轴线为D_P，该V极化天线基板位于H极化组阵天线的中心轴线的同一侧，并且D_P>D_s。

10.如权利要求9所述的小型化高增益双极化全向天线，其特征在于，在各H极化阵列单元上设有一节以其中心为起点、单径向延伸的径向平行双导线，径向平行双导线的上导体和下导体分别连接馈电板平行双导线的内侧导线和外侧导线。