[实用新型]分体式蓝宝石喷气装置

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体晶片蚀刻装置技术领域，具体涉及一种分体式蓝宝石喷气装置。

背景技术

等离子气体喷射装置主要用于生产半导体晶片，使晶片表面形成细小回路时的版刻工程的装置。其底部会具有多个气体喷射孔，并且会与等离子电极相结合，使等离子气体在机舱内喷射均匀，是决定半导体生产效率的消耗型核心零件。

以往的气体喷射装置以气体注射系统或石英材质的喷射装置构成并使用的，但是以往的气体喷射装置，在长期使用过程中容易因为等离子气体的腐蚀而导致喷气孔断面呈锥状的形变，从而导致喷入刻板机机舱内的等离子气体在无法均匀喷射，而是以不规律的形态进行喷射。本应该在晶片表面均匀喷射形成成品，最后却由等离子气体不均匀的局部喷射而成，将会导致晶片的生产效率低下，引发大量的残次品的问题。

传统的气体喷射装置通常采用一体成型的生产方式，这也会出现增加加工难度，延长加工时间，增加生产成本等问题，也有少数采用蓝宝石材料制作喷射装置的，但是因为结合部位经常采用在下部连接的方式，这样在使用过程中很容易发生破裂，也会大大降低装置的使用寿命。

实用新型内容

为解决以上技术问题，本实用新型提供了一种分体式蓝宝石喷气装置，在降低生产成本的同时，可以有效提高喷射装置使用寿命，同时保证喷入气体的均匀性，从而提高晶片生产效率，以及良品率。

为实现上述目的，本实用新型技术方案如下：

一种分体式蓝宝石喷气装置，其要点在于：包括第一主体和第二主体，二者均由蓝宝石材料加工而成；

所述第一主体内沿其轴向设有流动孔a和流动孔b，其中流动孔a贯穿第一主体的上下两端，第一主体外壁上设有分别与流动孔a和流动孔b连通的注气孔a和注气孔b；

所述第二主体内沿其轴向设有流动孔c和流动孔d，其中流动孔c贯穿第二主体上下两端，第二主体的下端周向外缘设有至少一个与流动孔d相连通的排出孔；

所述第二主体的上端与第一主体的下端固定连接，且流动孔c与流动孔a连通，流动孔d与流动孔b连通。

采用以上方案，通过选用蓝宝石制作喷气装置，增加装置耐腐性能以及高温稳定性，可以有效防止排出孔和流动孔被腐蚀，从而保证喷出气体的均匀性，提高产品良品率，同时采用分体加工，两段连接的方式，减小加工难度，同时保证连接处的牢固性，延长了装置的使用寿命。

作为优选：所述流动孔a和流动孔c分别沿第一主体和第二主体的中轴线设置，流动孔a和流动孔c内径相同均呈中空圆柱孔状结构；

所述流动孔b与流动孔a同轴设置，且处于流动孔a的径向外侧，流动孔d与流动孔c同轴设置，并处于流动孔c的径向外侧，流动孔b与流动孔d大小一致，均呈环状结构。采用以上结构，方便加工，且更有利于气体的均匀喷射。

为进一步保证从流动孔d内喷出的气体均匀的进入蚀刻腔中，所述排出孔呈环形阵列均匀分布在第二主体的下端。

作为优选：所述排出孔下部倾斜向外设置。采用以上结构，增加流动孔d出喷出气体覆盖的面积，提高蚀刻的均匀性，降低产品残品率。

作为优选：所述第一主体和第二主体均呈圆柱体结构，且第一主体的直径大于第二主体的直径。采用以上结构，两个主体之间形成台阶，可以方便装置固定在蚀刻腔的喷气口位置。

作为优选：所述第一主体的上端壁上设有向下凹陷的环槽，且该环槽处于流动孔a的外侧，环槽内配置与其相适应的密封盖。采用以上结构，确保流动孔a内的气体只能往下喷入蚀刻腔，从而保证蚀刻时喷气装置与蚀刻腔之间的密封性。

作为优选：所述第一主体下端具有沿其轴向向上延伸呈圆柱状的凹槽，该凹槽的直径与第二主体的直径相适应，所述第二主体的上端嵌入该凹槽中。采用以上结构，增加两者连接面积，可以有效提高连接处的密封性，以及连接的牢固性。

为进一步方便外部的注气管头与两个注气孔连接时，接触面方便密封，所述第一主体外壁在注气孔a和注气孔b的位置设有沉槽，所述沉槽底壁为光滑平面结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

采用本实用新型提供的分体式蓝宝石喷气装置，提高了装置整体耐腐性及高温稳定性，从而可使排出孔保持长久的稳定形态，提高喷气均匀性，提高产品良品率，同时，采用中部连接的分体式，降低加工难度，并且提高了连接处的强度，延长装置的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的主视图；

图2为图1所示实施例的俯视图；

图3为图1所示实施例的内部结构示意图；