[实用新型]一种高效提高硫酸镁浓缩结晶的装置有效

专利信息
申请号: 201720999826.2 申请日: 2017-08-10
公开(公告)号: CN207071233U 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 杨志;苏新;程甲辰 申请(专利权)人: 合肥宁垣工程技术有限责任公司
主分类号: B01D9/02 分类号: B01D9/02;C01F5/40
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 代理人: 胡剑辉
地址: 230088 安徽省合肥市高新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效 提高 硫酸镁 浓缩 结晶 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型属于燃煤锅炉、烧结机、回转窑烟气等脱硫设备领域,涉及一种浓缩硫酸镁结晶的装置,具体是一种高效提高硫酸镁浓缩结晶的装置。

背景技术

当前浓缩硫酸镁的结晶装置一般采用的是普通的水冷式结晶装置,传统的普通水冷式的结晶器,换热效率一般,不能做到迅速降低硫酸镁浓液的温度,提高硫酸镁溶液的饱和度有利于晶体的析出,而且在结晶过程需要蒸汽,这样导致结晶过程的成本会增加。未解决上述缺陷,现提供一种方案。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高效提高硫酸镁浓缩结晶的装置。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现:

一种高效提高硫酸镁浓缩结晶的装置,包括浓缩塔,浓缩塔通过第七管道与悬浮液分离器连接,悬浮液分离器通过第一管道与轴流泵相连接,轴流泵通过第二管道连接在结晶水冷器的第一循环溶液进口上,结晶水冷器的循环水进口通过进水管与循环水相连接,结晶水冷器上的循环水出口上连接有出水管,结晶水冷器上的第一循环溶液出口通过第三管道与结晶器的第二循环溶液进口相连接,结晶器上的晶液混合物出口通过第四管道连接在晶料泵上,晶料泵与离心机相连接。

进一步地,所述结晶器上还设有清液出口和第二循环溶液出口,清液出口通过第五管道连接在浓缩塔上。

进一步地,所述第二循环溶液出口通过第六管道连接在第一管道上。

进一步地,所述第七管道中间还设有泵。

本实用新型的有益效果:本实用新型相比于传统的普通水冷式的结晶器,能有效提高换热效率,迅速降低硫酸镁浓液的温度,提高硫酸镁溶液的饱和度有利于晶体的析出,而且结晶过程无需蒸汽,降低运行成本。

附图说明

为了便于本领域技术人员理解,下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

图1是本实用新型的结构示意图;

具体实施方式

如图1所示,一种高效提高硫酸镁浓缩结晶的装置,包括浓缩塔7,浓缩塔7通过第七管道701连接在悬浮液分离器1上,第七管道701中间还设有一泵9,悬浮液分离器1通过第一管道101连接在轴流泵2上,轴流泵2通过第二管道201连接在结晶水冷器3的第一循环溶液进口304上,将浓缩过后悬浮液分离器1里面的硫酸镁浓液通过轴流泵2送到结晶水冷器3,浓液进入结晶水冷器3的管程,结晶水冷器3的循环水进口302通过进水管801与循环水8相连接,结晶水冷器3上的循环水出口303上连接有出水管306,低温循环水进入结晶水冷器3的壳程,进行间接式换热,低温循环水带走大量的结晶热,降温后的硫酸镁浓液浓度达到过饱和的状态,并伴有少量晶体析出;结晶水冷器3上的第一循环溶液出口301通过第三管道305与结晶器4的第二循环溶液进口401相连接,降温后的过饱和硫酸镁溶液进入结晶器4内,逐渐形成结晶,已析出的晶体在结晶器4内长大并沉于结晶器4底部。结晶器4上的晶液混合物出口404通过第四管道407连接在晶料泵5上,晶料泵5与离心机6相连接,形成的晶料通过晶料泵5送到下一个工序离心机6处理;

结晶器4上还设有清液出口402和第二循环溶液出口403,清液出口402通过第五管道405连接在浓缩塔7上;第二循环溶液出口403通过第六管道406连接在第一管道101上,第二循环溶液出口403流出的循环溶液通过轴流泵2重新进入水冷结晶器3上循环。

一种高效提高硫酸镁浓缩结晶的装置在工作时,将浓缩塔浓缩过后经悬浮分离器分离而出硫酸镁浓液通过轴流泵送到结晶水冷器,浓液进入结晶水冷器的管程,低温循环水进入结晶水冷器的壳程,进行间接式换热,低温循环水带走大量的结晶热,降温后的硫酸镁浓液浓度达到过饱和的状态,并伴有少量晶体析出。降温后的过饱和硫酸镁溶液进入结晶器内,逐渐形成结晶,已析出的晶体在结晶器内长大并沉于结晶器底部。形成的晶料再通过晶料泵送到下一个工序离心机处理,结晶器的清液返回浓缩塔继续浓缩。本实用新型相比于传统的普通水冷式的结晶器,能有效提高换热效率,迅速降低硫酸镁浓液的温度,提高硫酸镁溶液的饱和度有利于晶体的析出,而且结晶过程无需蒸汽,降低运行成本。

以上内容仅仅是对本实用新型结构所作的举例和说明,所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离实用新型的结构或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本实用新型的保护范围。

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