[实用新型]半导体硅环蚀刻装置有效
| 申请号： | 201721001451.2 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN207052578U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 许赞 | 申请（专利权）人： | 重庆臻宝实业有限公司;许赞 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙)50216 | 代理人： | 龙玉洪 |
| 地址： | 401326 重庆市九*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 环蚀 装置 | ||
1.一种半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：包括上端敞口的清洗槽(1)，所述清洗槽(1)内设有支撑驱动机构(2)，所述支撑驱动机构(2)用于在蚀刻过程中保持半导体硅环在清洗槽(1)内旋转。
2.根据权利要求1所述的半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：所述支撑驱动机构(2)包括至少三根平行设置的支撑轴(20)，以及驱动至少其中一根支撑轴(20)转动的驱动电机(21)，各支撑轴(20)在清洗槽(1)内呈三角形或圆弧形分布。
3.根据权利要求2所述的半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：所述支撑轴(20)上沿其长度方向分布限位结构，所述限位结构用于在蚀刻过程中限制半导体硅环沿支撑轴(20)的轴向发生移动。
4.根据权利要求3所述的半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：所述限位结构为支撑轴(20)上沿其长度方向分布的环槽(200)，且各支撑轴(20)上的环槽(200)正对设置。
5.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：所述支撑驱动机构(2)还包括两个对称设置于支撑轴(20)两端的安装板(22)，所述支撑轴(20)为三根，水平设置在清洗槽(1)内，所述驱动电机(21)安装在清洗槽(1)的一侧，三根支撑轴(20)呈三角形分布，其中靠近清洗槽(1)底部的一根支撑轴(20)与驱动电机(21)连接。
6.根据权利要求5所述的半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：所述安装板(22)对应两根未与驱动电机(21)相连的支撑轴(20)端部的位置均设有滑槽(220)，两根所述支撑轴(20)两端分别贯穿滑槽(220)，并可沿所述滑槽(220)滑动，所述支撑轴(20)贯穿滑槽(220)的端部均设有锁紧螺母(201)。
7.根据权利要求6所述的半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：所述安装板(22)下端两侧具有竖直向下延伸的突出部(221)，所述清洗槽(1)底壁对应突出部(221)的位置设有卡槽(12)，所述突出部(221)嵌入卡槽(12)中。
8.根据权利要求2至4中任意一项中所述的半导体硅环蚀刻装置，其特征在于：所述驱动电机(21)通过调速齿轮组(210)与其中支撑轴(20)连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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